[发明专利]显示装置无效

专利信息
申请号: 200810081205.1 申请日: 2008-02-19
公开(公告)号: CN101251695A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 斋藤辉儿;大和久芳治;安田好三;宫泽敏夫 申请(专利权)人: 株式会社日立显示器
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/32;H05B33/10
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 季向冈
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,在基板的图像形成部呈矩阵状地配置有包括薄膜晶体管和像素电极的像素部,在上述基板上的上述图像形成部的外侧形成有包括薄膜晶体管的栅驱动电路,该显示装置的特征在于,

在上述栅驱动电路之上隔着绝缘物形成金属氧化物导电膜,对上述金属氧化物导电膜施加有恒定电压。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:

在形成上述像素电极时,同时形成上述金属氧化物导电膜。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:

上述金属氧化物导电膜是ITO。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:

上述栅驱动电路形成在上述图像形成部的两侧。

5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:

上述金属氧化物导电膜的一部分延伸至上述基板的端部。

6.一种显示装置,在基板的图像形成部呈矩阵状地配置有包括薄膜晶体管和像素电极的像素部,在上述基板上的上述图像形成部的外侧形成有包括薄膜晶体管的栅驱动电路和包括薄膜晶体管的数据驱动电路,该显示装置的特征在于,

在上述栅驱动电路和上述数据驱动电路之上隔着绝缘物形成有金属氧化物导电膜,对上述金属氧化物导电膜施加有恒定电压。

7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于:

上述金属氧化物导电膜的一部分延伸至上述基板的端部。

8.一种液晶显示装置,在TFT基板的图像形成部呈矩阵状地配置有包括薄膜晶体管和像素电极的像素部,在上述TFT基板上的上述图像形成部的外侧形成有包括薄膜晶体管的栅驱动电路,具有被施加公共电压的电极的对置基板在上述图像形成部的外侧使用上述TFT基板和密封部件来密封,该液晶显示装置的特征在于,

在上述栅驱动电路之上隔着绝缘物形成有金属氧化物导电膜,对上述金属氧化物导电膜施加有上述公共电压。

9.根据权利要求8所述的液晶显示装置,其特征在于:

上述金属氧化物导电膜与形成在上述对置基板上的被施加上述公共电压的电极导通。

10.根据权利要求8所述的液晶显示装置,其特征在于:

上述金属氧化物导电膜的一部分延伸至上述TFT基板的端部。

11.根据权利要求8所述的液晶显示装置,其特征在于:

上述TFT基板在制造工序中从比上述TFT基板大的原基板上切割而形成,在切割上述TFT基板前,上述金属氧化物导电膜的一部分通过上述TFT基板的端部延伸到上述原基板,上述金属氧化物导电膜在制造工序中施加恒定电压。

12.根据权利要求11所述的液晶显示装置,其特征在于:

上述恒定电压是接地电位。

13.根据权利要求8所述的液晶显示装置,其特征在于:

在上述薄膜晶体管的源电极/漏电极和上述金属氧化物导电膜之间形成有有机树脂膜。

14.一种液晶显示装置,在TFT基板的图像形成部呈矩阵状地配置有包括薄膜晶体管和像素电极的像素部,在上述TFT基板上的上述图像形成部的外侧形成有包括薄膜晶体管的栅驱动电路和包括薄膜晶体管的数据驱动电路,具有被施加公共电压的电极的对置基板在上述图像形成部的外侧使用上述TFT基板和密封部件来密封,该液晶显示装置的特征在于,

在上述栅驱动电路和上述数据驱动电路之上隔着绝缘物形成有金属氧化物导电膜,对上述金属氧化物导电膜施加有上述公共电压。

15.根据权利要求14所述的液晶显示装置,其特征在于:

上述金属氧化物导电膜的一部分延伸至上述TFT基板的端部。

16.一种有机EL显示装置,在基板的图像形成部呈矩阵状地配置有包括薄膜晶体管和有机EL发光部的像素部,在上述基板上的上述图像形成部的外侧形成有包括薄膜晶体管的栅驱动电路,该有机EL显示装置的特征在于,

在上述栅驱动电路之上隔着绝缘物形成有金属氧化物导电膜,对上述金属氧化物导电膜施加有恒定电压。

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