[发明专利]电光装置及其制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种电光装置，其特征在于，

在基板上具有：

多个像素电极；

晶体管，其设置在将各该像素电极的开口区域相互隔开的非开口区域，与上述像素电极电气连接；

存储电容，其至少隔着一层层间绝缘膜配置在上述像素电极的下层侧，设置在上述非开口区域，并由下侧电极、电介质膜和上侧电极顺序层叠而成，上述下侧电极具有，在上述基板上从平面看与上述上侧电极重叠的下侧电极本体部和从该下侧电极本体部的一部分以与上述上侧电极不重叠的方式延伸的下侧电极延伸部；

隔离绝缘膜，其配置在上述下侧电极的基底面的上层侧并且上述上侧电极的下层侧，在上述基板上从平面看，在包含上述下侧电极本体部和上述下侧电极延伸部的边界的区域中，以除了上述下侧电极本体部的上述一部分外不与其他部分重叠的方式形成；和

第1虚设图形，其设置在上述开口区域，由与上述隔离绝缘膜相同的膜构成。

2.按权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述至少一层层间绝缘膜中的至少一层被实施了平坦化处理。

3.按权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于，

作为上述至少一层层间绝缘膜，具有配置在上述上侧电极上的第1层间绝缘膜，

上述上侧电极具有与上述下侧电极本体部重叠的上侧电极本体部和从该上侧电极本体部以与上述下侧电极不重叠的方式在上述基底面上延伸的上侧电极延伸部，

上述第1虚设图形的边缘部分中面对上述上侧电极延伸部的部分与上述上侧电极延伸部的间隔，小于上述第1层间绝缘膜的膜厚的值乘以上述第1层间绝缘膜的覆盖率所得值的2倍。

4.按权利要求3所述的电光装置，其特征在于，

具有由配置在上述第1层间绝缘膜上的导电膜构成的第1布线，

上述间隔大于上述第1布线的膜厚值乘以上述第1布线的覆盖率所得值的2倍。

5.按权利要求1～4的任一项所述的电光装置，其特征在于，具有设置在位于上述基板上设置有上述多个像素电极的像素区域的周边的周边区域，用于驱动上述多个像素电极的周边电路部。

6.按权利要求5所述的电光装置，其特征在于，在上述周边区域具有由与上述隔离绝缘膜相同的膜构成的第2虚设图形。

7.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1～6的任一项所述的电光装置。

8.一种电光装置制造方法，是制造在基板上具有多个像素电极、晶体管、存储电容的电光装置的电光装置制造方法，其特征在于，包括：

在将上述各像素电极的开口区域相互隔开的非开口区域形成晶体管的工序；

在上述非开口区域顺序层叠下侧电极、电介质膜和上侧电极而形成上述存储电容的工序；和

隔着至少一层层间绝缘膜在上述存储电容的上层侧以与上述晶体管电气连接的方式形成上述像素电极的工序；

其中，形成上述存储电容的工序包括：

形成下侧电极使之具有在上述基板上从平面看与上述上侧电极重叠的下侧电极本体部和从该下侧电极本体部的一部分以与上述上侧电极不重叠的方式延伸的下侧电极延伸部的工序；和

在上述下侧电极的基底面的上层侧并且上述上侧电极的下层侧，在上述基板上从平面看，在包含上述下侧电极本体部与上述下侧电极延伸部的边界的区域中，以除了上述下侧电极本体部的上述一部分外不与其他部分重叠的方式形成隔离绝缘膜，并且在上述开口区域形成由与上述隔离绝缘膜相同的膜构成的虚设图形的工序。