[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体芯片；

电极焊垫，其提供在所述半导体芯片中，并包含铝(Al)作为主要成分且另外包含铜(Cu)；和

接合构件，其连接提供在所述半导体芯片外部的接合端子和所述半导体芯片，且主要包含Cu，

其中，在用来接合所述接合构件和所述电极焊垫的区域中，提供具有不同Cu和Al含量比的多个Cu和Al合金层，

其中所述Cu和Al合金层包括铜-铝合金(CuAl₂)层和提供在所述CuAl₂层和所述接合构件之间且具有比所述CuAl₂层的Al含量比相对低的Al含量比的层，和

其中所述电极焊垫和所述接合构件用基本不包含卤素的密封树脂密封。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中在所述CuAl₂层和所述接合构件之间提供的所述层包括：具有1∶1的Cu和Al含量比的铜-铝合金(CuAl)层，和提供在所述CuAl层和所述接合构件之间且具有比所述CuAl层的Al含量比相对低的Al含量比的层。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中在整个所述电极焊垫上Al的含量比为大于等于50.0％wt.且小于等于99.9％wt.，且在整个所述电极焊垫上Cu的含量比为大于等于0.1％wt.且小于等于5.0％wt.。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电极焊垫进一步包含硅(Si)。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述接合构件进一步包含磷(P)。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述密封树脂中的树脂由分子骨架中基本没有溴(Br)基团的聚合体化合物构成。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述密封树脂包含金属氢氧化合物。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中接合所述接合构件的区域中的所述电极焊垫的厚度等于或大于没有接合所述接合构件的区域中的所述电极焊垫的厚度的1/4。

9.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述接合构件为导线，

其中在所述导线与所述电极焊垫的结点中形成了球，和

其中在截面图中所述球提供有具有从中心向球的外围增加的球厚度的肩部。

10.如权利要求2所述的半导体器件，

其中在整个所述电极焊垫上Al的含量比为大于等于50.0％wt.且小于等于99.9％wt.，且在整个所述电极焊垫上Cu的含量比为大于等于0.1％wt.且小于等于5.0％wt.。

11.如权利要求2所述的半导体器件，

其中所述密封树脂中的树脂由分子骨架中基本没有溴(Br)基团的聚合体化合物构成。

12.如权利要求3所述的半导体器件，

其中所述密封树脂中的树脂由分子骨架中基本没有溴(Br)基团的聚合体化合物构成。

13.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述密封树脂中的树脂由分子骨架中基本没有溴(Br)基团的聚合体化合物构成。

14.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述密封树脂包含金属氢氧化物。

15.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述密封树脂包含金属氢氧化物。

16.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述密封树脂包含金属氢氧化物。

17.如权利要求13所述的半导体器件，其中所述密封树脂包含金属氢氧化物。

18.如权利要求2所述的半导体器件，其中接合所述接合构件的区域中的所述电极焊垫的厚度等于或大于没有接合所述接合构件的区域中的所述电极焊垫的厚度的1/4。

19.如权利要求3所述的半导体器件，其中接合所述接合构件的区域中的所述电极焊垫的厚度等于或大于没有接合所述接合构件的区域中的所述电极焊垫的厚度的1/4。

20.如权利要求10所述的半导体器件，其中接合所述接合构件的区域中的所述电极焊垫的厚度等于或大于没有接合所述接合构件的区域中的所述电极焊垫的厚度的1/4。