[发明专利]固体成像设备及其制造方法,以及使用该设备和方法的电子设备无效
申请号: | 200810081429.2 | 申请日: | 2008-02-21 |
公开(公告)号: | CN101252142A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 杉本共延;孙井刚司 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 关兆辉;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 成像 设备 及其 制造 方法 以及 使用 电子设备 | ||
1.一种固态成像设备,包括:
安装于膜上的固态成像元件芯片;以及
在膜和固态成像元件芯片之间具有流动性的树脂。
2.如权利要求1所述的固态成像设备,进一步包括:
光接收元件部分,其被设置于要安装在膜上的固态成像元件芯片的表面侧上,其中
该具有流动性的树脂被至少设置于所述光接收元件部分和所述膜之间。
3.如权利要求1所述的固态成像设备,其中
该具有流动性的树脂的外围被密封元件所覆盖。
4.如权利要求3所述的固态成像设备,其中
该密封元件的至少一部分是树脂,该树脂由与所述具有流动性的树脂相同的主要成份制成,并且该密封元件的至少一部分以与固态成像元件芯片的外边缘自对准的方式而设置。
5.如权利要求1所述的固态成像设备,其中
该具有流动性的树脂包括光固化树脂。
6.如权利要求1所述的固态成像设备,其中:
该固态成像元件芯片具有矩形的扁平表面;并且
该固态成像设备进一步包括
密封元件,其由在具有固态成像元件芯片的突起的矩形扁平表面的侧部分中与该具有流动性的树脂不同的树脂制成。
7.如权利要求1所述的固态成像设备,其中
该膜是由遮挡具有硬化光固化树脂的波长的光束的材料制成的。
8.如权利要求1所述的固态成像设备,其中,该膜是聚酰亚胺。
9.如权利要求8所述的固态成像设备,其中
该膜的厚度是5微米至50微米。
10.如权利要求1所述的固态成像设备,其中
在所述膜和所述固态成像元件芯片之间填充厚度为5微米至50微米的具有流动性的树脂。
11.如权利要求2所述的固态成像设备,其中
在所述膜和所述固态成像元件芯片的光接收元件部分之间填充厚度为5微米至50微米的所述具有流动性的树脂。
12.如权利要求1所述的固态成像设备,进一步包括:
在所述膜的表面部分上的光屏蔽图形,在该膜上安装了固态成像元件芯片。
13.如权利要求1所述的固态成像设备,进一步包括:
在安装了固态成像元件芯片的所述膜的表面部分上的接地图形。
14.一种使用如权利要求1所述的固态成像设备的电子设备。
15.如权利要求14所述的电子设备,其中
固态成像设备的所述膜的一个表面暴露于电子设备的侧表面部分和弯曲部分中的至少一个上。
16.一种制造具有安装在膜上的固态成像元件芯片的固态成像设备的方法,包括如下步骤:
将固态成像元件芯片安装在膜上;
将光固化树脂放置在固态成像元件芯片和膜之间;
在放置光固化树脂之后,将光屏蔽元件放置在固态成像元件芯片的光接收元件部分上或上方的至少之一的位置;以及
通过使用光束进行照射,硬化正好位于固态成像元件芯片的光接收元件部分下面的区域之外的区域中的光固化树脂,而至少不硬化正好位于固态成像元件芯片的光接收元件部分下面的区域中的光固化树脂。
17.一种制造如权利要求16所述的固态成像设备的方法,其中:
光屏蔽元件是固态成像元件芯片;并且
该方法进一步包括如下步骤:使用固态成像元件作为掩模,通过用光束照射来硬化固态成像元件芯片外部的一部分光固化树脂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的