[发明专利]热处理装置有效
申请号: | 200810081581.0 | 申请日: | 2008-02-27 |
公开(公告)号: | CN101256051A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 植松克仁;森田真登;西木直巳;桐原信幸;石尾博明 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | F27B9/00 | 分类号: | F27B9/00;F27B9/02;F27B9/24;H01J9/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
1.一种热处理装置,该热处理装置的热处理室在内部具有将玻璃基板放置在正上面来进行传送的多个传送辊道,并将多个所述热处理室沿所述玻璃基板的传送方向连接,并且将在传送的玻璃基板的上面形成的热处理对象物进行热处理,其特征在于,
作为传送辊道,使用在所述热处理的温度范围内维克斯硬度随着温度上升而增大的第一传送辊道、以及维克斯硬度随着温度上升而减小的第二传送辊道,并且在对所述玻璃基板的热处理温度进行设定的各热处理室中,选择所述第一传送辊道或所述第二传送辊道的任一种传送辊道进行排列,使得与该设定温度下的所述玻璃基板的维克斯硬度的硬度差较小。
2.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,
第一传送辊道设置于设定温度不到250℃的热处理室,不到250℃的温度范围内的维克斯硬度是以所述玻璃基板的维克斯硬度为基准的+20%以内,第二传送辊道设置于设定温度250℃以上的热处理室,250℃以上的温度范围内的维克斯硬度是以所述玻璃基板的维克斯硬度为基准的+20%以内。
3.如权利要求1或2的任一项所述的热处理装置,其特征在于,
玻璃基板由高熔点玻璃制成,第一传送辊道是以碳化硅为主要成分的烧结体,第二传送辊道是以莫来石为主要成分的烧结体。
4.如权利要求1至3的任一项所述的热处理装置,其特征在于,
将第二传送辊道构成为具有以下式表示的排列间隔D’(mm),而且单位面积载荷W(g/cm2)为30以下,
D’=A/(B-1)
W=C/(B×F×S)
式中,A:玻璃基板的前进方向长度(mm),B:支承玻璃基板的辊道根数,C:玻璃基板的重量(g),F:玻璃基板与辊道接触的宽度方向的长度(mm),S:玻璃基板与辊道接触的前进方向的长度(mm)。
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