[发明专利]有机晶体管、其制造方法及电子设备

权利要求书

1.一种有机晶体管，其特征在于，具备：

源电极及漏电极，

跨前述源电极及前述漏电极之间所设置的有机半导体层，和

与前述有机半导体层通过栅绝缘膜设置、与前述源电极及前述漏电极相对向地设置的栅电极；

前述有机半导体层，具备：

设置于前述栅电极与前述源电极相对向的对向区域的第1半导体区域，

设置于前述栅电极与前述漏电极相对向的对向区域的第2半导体区域，和

设置于前述第1半导体区域与前述第2半导体区域之间的第3半导体区域；

当设前述第1半导体区域的厚度的平均值为W1、前述第2半导体区域的厚度的平均值为W2、前述第3半导体区域的厚度的平均值为W3时，前述W1、W2及W3，满足W1、W2＜W3的关系。

2.按照权利要求1所述的有机晶体管，其特征在于：

当设前述源电极与前述第1半导体区域的合计的厚度的平均值为W4、前述漏电极与前述第2半导体区域的合计的厚度的平均值为W5时，前述W3、W4及W5，满足W4、W5＜W3的关系。

3.按照权利要求1或2所述的有机晶体管，其特征在于：

前述W1、W2及W3，满足W1、W2≤50nm，50nm＜W3≤200nm的关系。

4.按照权利要求1～3中的任何一项所述的有机晶体管，其特征在于：

前述源电极的、与前述栅电极相对向的部分，仅为前述源电极的形成区域的一部分。

5.按照权利要求1～4中的任何一项所述的有机晶体管，其特征在于：

前述漏电极的、与前述栅电极相对向的部分，仅为前述漏电极的形成区域的一部分。

6.一种有机晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成源电极及漏电极的工序，

采用喷墨法，跨前述源电极及前述漏电极地配置包含有机半导体的溶液的工序，

使前述溶液干燥而形成有机半导体层的工序，

在前述有机半导体层上形成栅绝缘膜的工序，和

在前述栅绝缘膜上形成与前述源电极及前述漏电极相对向的栅电极的工序；

在前述形成有机半导体的工序中，对包含前述有机半导体的溶液的种类、排出条件及干燥条件进行设定，

使得当设设置于前述栅电极与前述源电极相对向的对向区域的前述有机半导体层的第1半导体区域的厚度的平均值为W1、设置于前述栅电极与前述漏电极相对向的对向区域的前述有机半导体层的第2半导体区域的厚度的平均值为W2、设置于前述第1半导体区域与前述第2半导体区域之间的前述有机半导体层的第3半导体区域的厚度的平均值为W3时，前述W1、W2及W3，满足W1、W2＜W3的关系。

7.按照权利要求6所述的有机晶体管的制造方法，其特征在于：

在前述形成有机半导体的工序中，对包含前述有机半导体的溶液的种类、排出条件及干燥条件进行设定，

使得当设前述源电极与前述第1半导体区域的合计的厚度的平均值为W4、前述漏电极与前述第2半导体区域的合计的厚度的平均值为W5时，前述W3、W4及W5，满足W4、W5＜W3的关系。

8.一种电子设备，其特征在于：

具有权利要求1～5中的任何一项所述的有机晶体管或通过权利要求6或7所述的有机晶体管的制造方法所制造的有机晶体管。