[发明专利]双向、反向阻断电池开关

权利要求书

1.一种半导体装置，其包含：

第一垂直MOSFET晶体管，其具有与第二垂直MOSFET晶体管的漏极电连通的漏极，所述第一及第二垂直MOSFET晶体管在各自的顶表面上具有多个触点，其中每个顶表面针对下列每一者包括至少一个触点：

所述第一和第二垂直MOSFET晶体管的各自的所述漏极、栅极及源极；

多个插脚，其与所述触点电连通；及

封装本体，其囊封所述第一及第二垂直MOSFET晶体管及所述插脚的一部分，所述封装本体具有与所述第一和第二垂直MOSFET晶体管的所述顶表面平行的外表面，其中：

所述外表面具有第一尺寸和比所述第一尺寸长的第二尺寸，及

与所述第一垂直MOSFET晶体管的所述触点电连通的第一插脚子集和与所述第二垂直MOSFET晶体管的所述触点电连通的第二插脚子集沿所述第二尺寸的长度方向设在所述封装本体的相对侧上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一及第二垂直MOSFET晶体管以单片形式存在于单个衬底中。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一及第二垂直MOSFET晶体管存在于单独电路小片中。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述封装本体符合选自双扁平无引脚、芯片级或J引线的规格。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一垂直MOSFET晶体管及所述第二垂直MOSFET晶体管的所述触点经连接以形成反向阻断电池开关。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一插脚子集设置在所述封装本体中以在所述封装本体转动180度的情况下相对于所述第二插脚子集电对称。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一及第二垂直MOSFET晶体管的所述漏极不通过背部金属电连接。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一及第二垂直MOSFET晶体管 通过背部金属电连接。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一垂直MOSFET晶体管或所述第二垂直MOSFET晶体管中一者的表面呈现多个栅极或源极触点。

10.一种制作反向阻断电池开关的方法，所述方法包含：

提供第一垂直MOSFET晶体管，其具有与第二垂直MOSFET晶体管的漏极电连通的漏极，所述第一及第二MOSFET晶体管在各自的顶表面上具有多个触点，其中每个顶表面针对下列每一者包括至少一个触点：

所述第一和第二垂直MOSFET晶体管的各自的所述漏极、栅极及源极；

提供与所述触点电连通的多个插脚；及

将所述第一及第二垂直MOSFET晶体管及所述插脚的一部分囊封在具有与所述第一和第二垂直MOSFET晶体管的所述顶表面平行的外表面的封装本体中，其中：

所述外表面具有第一尺寸和比所述第一尺寸长的第二尺寸，及

与所述第一垂直MOSFET晶体管的所述触点电连通的第一插脚子集和与所述第二垂直MOSFET晶体管的所述触点电连通的第二插脚子集沿所述第二尺寸的长度方向设在所述封装本体的相对侧上。

11.如权利要求10所述的方法，其中在单个衬底中以单片形式提供所述第一及第二垂直MOSFET晶体管。

12.如权利要求10所述的方法，其中提供所述第一及第二垂直MOSFET晶体管作为单独电路小片。

13.如权利要求10所述的方法，其中通过所述插脚连接所述第一垂直MOSFET晶体管及所述第二垂直MOSFET晶体管的所述触点以形成反向阻断开关。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述囊封形成符合选自双扁平无引脚、芯片级或J引线的规格的封装。

15.如权利要求10所述的方法，其中将所述第一插脚子集设置在所述封装本体中以在所述封装本体转动180度的情况下相对于所述第二插脚子集电对称。

16.如权利要求10所述的方法，其中所述第一及第二垂直MOSFET晶体管的漏极通过背部金属电连通。 

17.如权利要求10所述的方法，其中将所述插脚提供到带有多个栅极或源极触点的所述第一垂直MOSFET晶体管或所述第二垂直MOSFET晶体管中一者的表面。