[发明专利]EL显示装置和用于制造所述显示装置的方法有效
申请号: | 200810081937.0 | 申请日: | 2000-09-15 |
公开(公告)号: | CN101266996A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;水上真由美;小沼利光 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 陈景峻 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | el 显示装置 用于 制造 方法 | ||
1. 一种显示装置,包括:
形成在第一衬底上的第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管与一条源极引线和一条栅极引线电连接;
形成在所述第一衬底上的第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管电连接;
形成在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上的包括有机树脂膜的拉平膜;
与所述第二薄膜晶体管电连接的EL元件;以及
形成在所述拉平膜上、并形成在所述EL元件上的钝化膜,
其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管具有相同的导电类型。
2. 一种显示装置,包括:
形成在第一衬底上的第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管与一条源极引线和一条栅极引线电连接;
形成在所述第一衬底上的第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管电连接;
形成在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上的包括有机树脂膜的拉平膜;
形成在所述拉平膜上、并与所述第二薄膜晶体管电连接的EL元件;以及
形成在所述EL元件上的钝化膜,
其中所述第二薄膜晶体管的沟道比所述第一薄膜晶体管的沟道宽。
3. 如权利要求1或2所述的显示装置,还包括形成在所述钝化膜上的光屏蔽膜,和形成在所述光屏蔽膜上的第二衬底。
4. 如权利要求1或2所述的显示装置,还包括形成在所述钝化膜上的光屏蔽膜和彩色滤光器,以及形成在所述光屏蔽膜上的第二衬底。
5. 如权利要求1或2所述的显示装置,其中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个都是底部栅极型薄膜晶体管。
6. 如权利要求1或2所述的显示装置,其中所述有机树脂膜包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸和苯环丁烯。
7. 如权利要求1或2所述的显示装置,其中所述钝化膜包括氮化硅膜。
8. 如权利要求1或2所述的显示装置,其中所述EL元件包括阳极、阴极,以及在所述阳极和阴极之间的发光层。
9. 如权利要求1或2所述的显示装置,还包括一个检测器,用于检测所述第一衬底上周围环境的亮度。
10. 如权利要求1或2所述的显示装置,其中所述显示装置被应用到一种电子器件的显示部分,该电子器件选自包括电致发光显示器、视频摄像机、头上安装型显示器、DVD重放设备、便携式计算机、个人计算机、便携式电话和汽车音频设备的组别。
11. 如权利要求1或2所述的显示装置,其中所述栅极引线包含电阻率低于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的每一个的栅极的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的