[发明专利]氧化锌基半导体发光组件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造一半导体发光组件的方法，其特征在于，所述方法包含下列步骤：

制备一基材；以及

通过一基于原子层沉积的制程，在所述基材上或之上形成一氧化锌基多层结构，所述氧化锌基多层结构包含一发光区域。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基于原子层沉积的制程包含选自由一原子层沉积制程、一电浆增强原子层沉积制程以及一电浆辅助原子层沉积制程所组成的一群组中的至少其中一个。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基材选自由一蓝宝石基材、一硅基材、一SiC基材、一GaN基材、一AlGaN基材、一InGaN基材、一ZnO基材、一ScAlMgO₄基材、一YSZ基材、一SrCu₂O₂基材、一CuAlO₂基材、一LaCuOS基材、一NiO基材、一LiGaO₂基材、一LiAlO₂基材、一GaAs基材以及一玻璃基材所组成的一群组中的其中一个。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基材为一图案化基材。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述发光区域选自由一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂Mg_xZn_1-xO/未掺杂Mg_yZn_1-yO/N型掺杂Mg_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Mg_xZn_1-xO/N型掺杂Mg_yZn_1-yO/N型掺杂Mg_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Mg_xZn_1-xO/P型掺杂Mg_yZn_1-yO/N型掺杂Mg_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Mg_xZn_1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂Mg_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Mg_xZn_1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂Mg_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Mg_xZn_1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂Mg_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Mg_xZn_1-xO/N型掺杂Mg_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Mg_xZn_1-xO/未掺杂Mg_yZn_1-yO结构组合、一P型掺杂Mg_xZn_1-xO/未掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂Mg_xZn_1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂Mg_xZn_1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂Mg_xZn_1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂Mg_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂Mg_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂Mg_zZn_1-zO结构组合、一N型掺杂ZnO/P型掺杂所述基材结构组合、一N型掺杂Mg_zZn_1-zO/P型掺杂所述基材结构组合、一P型掺杂Be_xZn_1-xO/未掺杂Be_yZn_1-yO/N型掺杂Be_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Be_xZn_1-xO/N型掺杂Be_yZn_1-yO/N型掺杂Be_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Be_xZn_1-xO/P型掺杂Be_yZn_1-yO/N型掺杂Be_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Be_xZn_1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂Be_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Be_xZn_1-xO/N型掺杂ZnO/N型掺杂Be_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Be_xZn_1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂Be_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Be_xZn_1-xO/N型掺杂Be_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂Be_xZn_1-xO/未掺杂Be_yZn_1-yO结构组合、一P型掺杂Be_xZn_1-xO/未掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂Be_xZn_1-xO/未掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂Be_xZn_1-xO/P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂Be_xZn_1-xO/N型掺杂ZnO结构组合、一P型掺杂ZnO/未掺杂ZnO/N型掺杂Be_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂ZnO/N型掺杂Be_zZn_1-zO结构组合、一P型掺杂ZnO/N型掺杂Be_zZn_1-zO结构组合以及一N型掺杂Be_zZn_1-zO/P型掺杂所述基材结构组合所组成的一群组中的其中一个，0＜x，y，z≤1。