[发明专利]可降低噪声的影像感测器

权利要求书

1.一种能够降低噪声的影像感测器，其特征在于，包含有：

一像素阵列；

一控制电路；以及

一关联双取样电路阵列，耦接于该像素阵列及该控制电路之间，由多个关联双取样电路单元所组成，该多个关联双取样电路单元的每一关联双取样电路单元包含有：

一硅基板；

一MOS元件，形成于该硅基板上，该MOS元件连接至该关联双取样电路单元的一浮接点；以及

多个金属层，设置于该MOS元件之上，用来提供该关联双取样电路单元的电连结，并且用来阻挡光线照射该MOS元件；

其中，该多个金属层的图案系对应该MOS元件在该关联双取样电路阵列中的位置，使得该关联双取样电路阵列中两邻近关联双取样电路的金属层图案不完全相同。

2.如权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，该MOS元件是该关联双取样电路单元的一取样电容。

3.如权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，该MOS元件是该关联双取样电路单元的一开关。

4.如权利要求1所述的影像感测器，其特征在于，该MOS元件是该关联双取样电路单元中一缓冲器的一组成元件。

5.一种用于一影像感测器的关联双取样电路阵列，由多个关联双取样电路单元所组成，其特征在于，该多个关联双取样电路单元的每一关联双取样电路单元包含有：

一硅基板；

一MOS元件，形成于该硅基板上，该MOS元件连接至该关联双取样电路单元的一浮接点；以及

多个金属层，设置于该MOS元件之上，用来提供该关联双取样电路单元的电连结，并且用来阻挡光线照射该MOS元件；

其中，该多个金属层的图案系对应该MOS元件在该关联双取样电路阵列中的位置，使得该关联双取样电路阵列中两邻近关联双取样电路的金属层图案不完全相同。

6.如权利要求5所述的关联双取样电路阵列，其特征在于，该MOS元件是该关联双取样电路单元的一取样电容。

7.如权利要求5所述的关联双取样电路阵列，其特征在于，该MOS元件是该关联双取样电路单元中的一开关。

8.如权利要求5所述的关联双取样电路阵列，其特征在于，该MOS元件是该关联双取样电路单元中一缓冲器的一组成元件。

9.一种用于一影像感测器的关联双取样电路的布局方法，其特征在于，该布局方法包含有：

形成一关联双取样电路的一MOS元件于一硅基板上，该MOS元件连接至该关联双取样电路中的一浮接点；以及

根据该关联双取样电路于一关联双取样电路阵列的位置，在多个金属层中形成多个金属连接线，以阻挡光线照射该MOS元件，并提供该关联双取样电路的电连结；

其中，该多个金属层的图案系对应该MOS元件在该关联双取样电路阵列中的位置，使得该关联双取样电路阵列中两邻近关联双取样电路的金属层图案不完全相同。

10.如权利要求9所述的布局方法，其特征在于，该MOS元件是该关联双取样电路单元的一取样电容。

11.如权利要求9所述的布局方法，其特征在于，该MOS元件是该关联双取样电路单元中的一开关。

12.如权利要求9所述的布局方法，其特征在于，该MOS元件是该关联双取样电路单元中一缓冲器的一组成元件。

13.一种能够降低噪声的影像感测器，其特征在于，包含有：

一像素阵列；

一控制电路；以及

一关联双取样电路阵列，耦接于该像素阵列及该控制电路之间，由多个关联双取样电路单元所组成，该多个关联双取样电路单元至少包含有：

一第一关联双取样电路单元，其包含有：

一第一硅基板；

一第一MOS元件，形成于该第一硅基板上，该MOS元件连接至该第一关联双取样电路单元的一浮接点；以及

第一多个金属层，设置于该第一MOS元件之上，用来提供该第一关联双取样电路单元的电连结，并且于该第一MOS元件上形成一第一电路图案，以阻挡光线照射该第一MOS元件；以及

一第二关联双取样电路单元，其包含有：

一第二硅基板；

一第二MOS元件，形成于该第二硅基板上，该MOS元件连接至该第二关联双取样电路单元的一浮接点；以及

第二多个金属层，设置于该第二MOS元件之上，用来提供该第二关联双取样电路单元的电连结，并且在该第二MOS元件上形成一第二电路图案，以阻挡光线照射该第二MOS元件；

其中，该第一关联双取样电路单元与该第二关联双取样电路单元是该关联双取样电路阵列上两邻近的电路单元，以及该第一电路图案与该第二电路图案不完全相同。