[发明专利]图像传感器装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术，特别涉及一图像传感器装置。

背景技术

传统上，使用结晶体硅、非晶硅、及砷化镓等半导体材料的P-N结或P-I-N结的装置可作为图像传感器装置。上述图像传感器装置是排列在两个方向，而成为一平面型的图像传感器装置；或排列在一个方向，而成为线型传感器。

一滤光系统常用于上述图像传感器装置与上述线型传感器，上述滤光系统具有多个彩色滤光片，每个彩色滤光片可允许特定波长范围的光透射其本身，而作为色分离的用途。一例示的滤光系统中具有三原色的彩色滤光片，上述三原色即为红、绿、蓝；而另一例示的滤光系统中具有青色(cyanogen)、洋红色(magenta)、黄色、与绿色的彩色滤光片。

然而上述滤光系统具有一个问题，即是其中的彩色滤光片会吸收通过其本身的光能量的一部分，因此业界需要低损失的滤光器，来避免光损失的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的优选实施例提供一种图像传感器装置，当光通过时可避免光损失的发生。

本发明的一优选实施例提供一种图像传感器装置，包含：一基底，上述基底具有水平排列成一行的多个光学二极管，且上述光学二极管之间具有至少一斜边边界区；以及一非吸收性的分光装置，位于上述基底上或其上方，上述非吸收性的分光装置使入射的白光发生色散，而分成多个成分色光，上述成分色光是依照其波长大小顺序排成一行，上述非吸收性的分光装置并导引上述成分色光，而使上述成分色光入射至上述光学二极管。

本发明的另一优选实施例又提供一种图像传感器装置，包含：一基底，上述基底具有一矩形的单位像素区于其一表面；至少一斜边边界区，将上述单位像素区分成排列成一行的多个光学二极管区；多个光学二极管，分别置于上述光学二极管区中；以及一非吸收性的分光装置，位于上述基底上或其上方，上述非吸收性的分光装置使入射的白光发生色散，而分成多个成分色光，上述成分色光是依照其波长大小顺序排成一行，上述非吸收性的分光装置并导引上述成分色光，而使上述成分色光入射至上述光学二极管。

本发明的另一优选实施例又提供一种图像传感器装置，包含：一基底，上述基底具有互为相反表面的一第一表面与一第二表面，且上述基底具有水平排列成一行的多个光学二极管，且上述光学二极管之间具有至少一斜边边界区；一非吸收性的分光装置，位于上述基底上或其上方，上述非吸收性的分光装置使入射的白光发生色散，而分成多个成分色光，上述成分色光是依照其波长大小顺序排成一行，上述非吸收性的分光装置并导引上述成分色光，而使上述成分色光入射至上述光学二极管；以及一光学二极管接点于上述基底的上述第二表面上。

如上所述，本发明的图像传感器装置在对入射白光进行色散的过程中实质上未造成光线能量的损失，且在不同的光二极管之间具有过渡区，而可改善图像传感器装置的性能。

附图说明

图1为一俯视图，显示本发明一优选实施例的图像传感器装置。

图2A与图2B为一系列的剖面图，显示图1所示的本发明优选实施例的图像传感器装置的其中一个单位像素。

图3A～图3D为一系列的剖面图，显示图1所示的本发明优选实施例的非吸收性的分光装置的数个范例。图4A和图4B为示意图，显示图2A所示的本发明一优选实施例的图像传感器装置中的光学二极管的排列方式。

其中，附图标记说明如下：

1～图像传感器装置     10～单位像素

20～白光              21～红光

22～绿光              23～蓝光

100～基底             100a～第一表面

100b～第二表面             101a～光学二极管区

101b～光学二极管区         102a～光学二极管区

102b～光学二极管区         103a～光学二极管区

103b～光学二极管区         111～光学二极管

111a～主要部分             111aa～光学二极管接点

111b～绿光过渡区           112～光学二极管

112a～主要部分             112aa～光学二极管接点

112b～红光过渡区           112c～蓝光过渡区

113～光学二极管            113a～主要部分

113aa～光学二极管接点      113b～绿光过渡区