[发明专利]半导体制造装置的气体供给系统和气体供给集成单元

权利要求书

1.一种半导体制造装置的气体供给系统，用于从气体供给源向半导体制造装置的处理部供给规定的气体，其特征在于，具有：

与所述气体供给源和所述处理部连接的气体供给流路，

所述气体供给流路包括：

多个流体控制设备；和

连接在这些各流体控制设备之间、内部形成有所述气体的流路的流路构成部件，

所述流路构成部件由碳材料构成。

2.如权利要求1所述的半导体制造装置的气体供给系统，其特征在于：

所述流路构成部件由在内部形成有流路的流路块构成。

3.如权利要求1所述的半导体制造装置的气体供给系统，其特征在于：

所述流路构成部件的所述碳材料由碳烧结材料、硬质碳材料中的任一种或者它们的组合构成。

4.如权利要求3所述的半导体制造装置的气体供给系统，其特征在于：

所述碳烧结材料具有浸渗至内部的氟树脂。

5.如权利要求1所述的半导体制造装置的气体供给系统，其特征在于：

所述多个流体控制设备包括阀、减压阀和压力计。

6.如权利要求5所述的半导体制造装置的气体供给系统，其特征在于：

所述流体控制设备分别具有与所述气体接触的气体接触部，该气体接触部由碳材料构成。

7.一种气体供给集成单元，用于向半导体制造装置的处理部供给规定的腐蚀性气体，其特征在于，包括：

多个流体控制设备；和

连接在这些各流体控制设备之间、内部形成有所述气体的流路的流路块，

所述流路块由碳材料构成。

8.如权利要求7所述的气体供给集成单元，其特征在于：

所述腐蚀性气体由氟类的腐蚀性气体构成。

9.如权利要求8所述的气体供给集成单元，其特征在于：

所述腐蚀性气体由HF气体、F₂气体、ClF₃气体中的任一种或者含有它们的混合气体构成。

10.如权利要求7所述的气体供给集成单元，其特征在于：

所述流路块的所述碳材料由浸渗有氟树脂的碳烧结材料构成。