[发明专利]一种增进硅片级封装(WLP)可靠度的封装结构无效
| 申请号： | 200810082323.4 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN101256991A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 杨文焜;林殿方 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增进 硅片 封装 wlp 可靠 结构 | ||
【权利要求书】：
1、一种增进可靠度的封装结构，其包含：
一柔软区域其位于此封装结构的中性点距离区外侧，其中该柔软区域具有第一介电层以吸收热应力；且
一坚硬区域其位于此封装结构的中性点距离区之内，其中在坚硬区域中的第二介电层材料，硬度高于第一介电层。
2、如权利要求1所述的封装结构，其中，该中性点距离的长度于0.3mm的锡球为3-4mm。
3、如权利要求1所述的封装结构，其中，于上述坚硬区域的该第二介电层材料的热膨胀系数范围在20-80ppm。
4、如权利要求1所述的封装结构，其中，上述坚硬区域中的该第二介电层材料的伸长百分比小于10％。
5、如权利要求1所述的封装结构，其中，上述坚硬区域中的该第二介电层材料为苯环丁烯或聚亚酰胺。
6、如权利要求1所述的封装结构，其中，上述坚硬区域的球部抗切强度大于此柔软区域的球部抗切强度。
7、如权利要求1所述的封装结构，其中，上述柔软区域中的该第一介电层材料的伸长百分比为30-50％。
8、如权利要求1所述的封装结构，其中，上述柔软区域面积大于此坚硬区域的面积。
9、如权利要求1所述的封装结构，其中，于上述柔软区域的该第一介电层材料的热膨胀系数大于100ppm。
10、如权利要求1所述的封装结构，其中，于上述柔软区域的该第一介电层为硅基介电质-硅氧烷高分子或道康宁WL5000/3000系列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于育霈科技股份有限公司，未经育霈科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810082323.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：剃刀
- 下一篇：无线电控制模型的统合控制系统
