[发明专利]发光二极管器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种发光器件及其制造方法，特别是，本发明是关于一种发光二极管及其制造方法。

背景技术

参阅图1，其示意性说明了已知发光二极管器件的结构组成；发光二极管器件1包含基材10、位于所述基材10上的缓冲层11、位于所述缓冲层11上方的第一局限层12、位于所述第一局限层12上方的发光层13、位于所述发光层13上方的第二局限层14、位于所述第二局限层14上方的接触层15、位于所述接触层15上方的透明导电层16，及一组电极单元17，其中电极单元17由位于所述第一局限层12上方的第一电极17a以及位于所述透明导电层16上方的第二电极17b所组成，第一电极17a与第二电极17b相配合以提供电能于发光二极管器件1。

在前述结构中，第一局限层12与第二局限层14具有彼此不同的导电性；举例而言，第一局限层12与第二局限层14分别为经掺杂而呈n型(n-type)导电性与经掺杂而呈p型(p-type)的氮化镓系列半导体材料。

电极单元17的第一电极17a及第二电极17b以例如金、铬等金属及/或其合金所构成，其中，第一电极17a设置在n型的第一局限层12上并与其形成欧姆接触，第二电极17b则设置于透明导电层16顶面上并与接触层15形成欧姆接触，以对n型的第一局限层12及p型的第二局限层14提供电能。

当通过第一电极17a与第二电极17b对发光二极管器件1施加电能时，电流分散流通过n型的第一局限层12及p型的第二局限层14，而当电流自第二电极17b通入发光二极管器件1后，其将经由第二电极17b而均匀散布，由此，电子与空穴于发光层13中结合，同时释放能量而转换成光能，进而向外发光。所述发光层13为一多重量子井结构，包含多层能障层13a及多层量子井层13b呈交互堆叠结构。

为了提高发光二极管器件1的光取出效率，可对p型的第二局限层14与接触层15予以图形化，以于其中形成多个开孔，由此使第二电极17b可与p型的第二局限层14以及接触层15充分接触，进而提升发光二极管器件1的发光亮度。

然而，p型的第二局限层14经过图形化后，其所需的操作电压亦随之升高；为此，本发明提出了一种新型发光二极管器件的结构及其制造方法，除解决了发光二极管器件操作电压升高的问题以减少耗电之外，亦达到制程简易、成本降低的目标。

发明内容

本发明的一目的，旨在提供一种发光二极管器件(1ight emitting diodes，LED)。

此外，本发明的另一目的，旨在提供一种发光二极管器件的制造方法。

根据本发明的一构想，所提供的发光二极管器件包括：基底；缓冲层，位于所述基底上方；第一导电性局限层，位于所述缓冲层上方；发光层，位于所述第一导电性局限层上方；第二导电性第一局限层，位于所述发光层上方；具导电性第一接触层，位于所述第二导电性第一局限层上方；经图案化第二导电性第二局限层，位于所述具导电性第一接触层上方；经图案化具导电性第二接触层，位于所述第二导电性第二局限层上方；透明导电层，位于所述第二接触层上方，所述透明导电层具有多个接触穿经所述第二接触层及所述第二导电性第二局限层而电性接触所述第一接触层；第一导电性电极，位于所述第一导电性局限层上方；及第二导电性电极，位于所述透明导电层上方。

根据本发明的另一构想，所提供的发光二极管器件包括：基底；缓冲层，位于所述基底上方；第一导电性局限层，位于所述缓冲层上方；发光层，位于所述第一导电性局限层上方；第二导电性第一局限层，位于所述发光层上方；具导电性第一接触层，位于所述第二导电性第一局限层上方；经图案化第二导电性第二局限层，位于所述具导电性第一接触层上方；经图案化具导电性第二接触层，位于所述第二导电性第二局限层上方；透明导电层，位于所述第二接触层上方，所述透明导电层具有多个第一接触穿经所述第二接触层及所述第二导电性第二局限层而电性接触所述第一接触层；第一导电性电极，位于所述第一导电性局限层上方；及第二导电性电极，位于所述透明导电层上方，所述第二导电性电极具有多个第二接触穿经所述透明导电层、所述第二接触层及所述第二导电性第二局限层而电性接触所述第一接触层。

根据上述构想，其中所述第一接触层及所述第二接触层的厚度小于50纳米。

根据上述构想，其中所述第一接触层及所述第二接触层的厚度小于10纳米。

根据上述构想，其中所述第一接触层及所述第二接触层的厚度约3纳米。

根据上述构想，其中所述发光二极管器件为氮化镓系发光二极管器件。