[发明专利]温度循环测试装置及利用此装置加热芯片倒装封装结构有效
申请号: | 200810083032.7 | 申请日: | 2008-03-18 |
公开(公告)号: | CN101252099A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 钟启生;赖逸少;叶昶麟 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/34;H01L23/488;G01R31/00;G01R31/28;G01R31/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 循环 测试 装置 利用 加热 芯片 倒装 封装 结构 | ||
1. 一种温度循环测试装置,适于加热芯片倒装封装结构,其特征在 于,所述芯片倒装封装结构包括第一基板、芯片、第一承载基板以及多个 第一焊球,所述芯片与所述第一承载基板分别配置于所述第一基板的一上 表面以及一下表面,其中所述芯片是以芯片倒装接合方式与所述第一基板 电性连接,所述的第一焊球配置于所述第一基板与所述第一承载基板之 间,且所述第一基板与所述第一承载基板由所述第一焊球而电性连接,所 述温度循环测试装置包括:
第二基板,具有上表面以及下表面;
热测试芯片,配置于所述第二基板的所述上表面上方,且贴附于所述 芯片上;
多个凸块,配置于所述第二基板与所述热测试芯片之间,以电性连接 所述第二基板与所述热测试芯片;
第二承载基板,配置于所述第二基板的所述下表面的下方;以及
多个第二焊球,配置于所述第二基板与所述第二承载基板之间,以电 性连接所述第二基板与所述第二承载基板。
2. 如权利要求1所述的温度循环测试装置,其特征在于,包括封装 胶体,填充于所述热测试芯片与所述第二基板之间,以包覆所述凸块。
3. 如权利要求1所述的温度循环测试装置,其特征在于,包括导热 材料,配置于所述热测试芯片与所述芯片之间。
4. 如权利要求3所述的温度循环测试装置,其特征在于,所述导热 材料包括散热膏、散热胶、散热垫或前述的组合。
5. 如权利要求1所述的温度循环测试装置,其特征在于,包括至少 一支撑件,所述支撑件配置于所述第一承载基板与所述第二承载基板之 间。
6. 一种加热芯片倒装封装结构的方法,其特征在于,包括:
提供如权利要求1所述的温度循环测试装置以及待测试的芯片倒装 封装结构,其中所述待测试的芯片倒装封装结构包括第一基板、芯片、第 一承载基板以及多个第一焊球,所述芯片与所述第一承载基板分别配置于 所述第一基板的一上表面以及一下表面,其中所述芯片是以芯片倒装接合 方式与所述第一基板电性连接,所述第一焊球配置于所述第一基板与所述 第一承载基板之间,且所述第一基板与所述第一承载基板由所述第一焊球 而电性连接;
对所述热测试芯片进行一温度校正程序,以取得所述热测试芯片的温 度与电压间的一线性公式;
将所述温度循环测试装置倒置于所述待测试的芯片倒装封装结构上, 使所述热测试芯片贴附于所述芯片;以及
依据所述热测试芯片的温度与电压间的该线性公式施予所述热测试 芯片一电压,以加热所述待测试的芯片倒装封装结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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