[发明专利]输出讯号驱动电路及驱动输出讯号的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种输出讯号驱动电路及其方法，尤其是涉及一种利用反馈机制以增进电流效率，而不超过要求电压的输出驱动讯号电路及方法。

背景技术

随着处理器性能不断的攀升，存储器频宽已经成为目前计算机系统的效能的一大瓶颈，所以各大半导体厂与芯片厂均不断地开发新的存储器规格与总线技术来做为存储器频宽的解决方案，现在的双重数据传输率(Double datarate，DDR)的存储器发展技术也不例外，从最初的DDRI，DDRII到最新的DDRIII存储器传输规格。在大幅提升数据存取量的同时，一般的特定应用集成电路(application specific integrated circuit，ASIC)制造厂却无法即时提供最先进的技术工艺供客户使用。根据世界半导体标准协会(JDEC)所订的规格，DDRI存储器必须遵循SSTL25的规格，即存储器的输入/输出(IO)端口电压必须为2.5V，DDRII存储器必须遵循SSTL18的规格，即存储器的输入/输出端口电压必须为1.8V，以及DDRIII存储器必须遵循SSTL15的规格，即存储器的输入/输出端口电压必须为1.5V，但是一般ASIC芯片制造厂只提供两种工艺元件(亦即低压元件和高压元件)供客户使用。因此，在设计存储器控制器(controller)的输入/输出连接垫上，一般是将可运作于3.3V的高压晶体管元件操作在2.5V电压下(DDRI)，或是将可运作于3.3V的高压晶体管元件操作在1.8V下(DDRII)。请参考图1，图1所示为已知3.3V晶体管的电流-电压特性曲线图。根据图1可以得知，当3.3V的晶体管操作在DDRII规格所需的1.8V时，其操作电流I₂均会比当3.3V晶体管操作在正常的3.3V下的操作电流I₁小，然而输入/输出连接垫为了要在DDRII规格所规定的时间内充电至合理的电压电平，则驱动电流可能会不够大，因此在这情况下为了提高驱动电流量则必须要增加晶体管的通道宽度(width)以及输入/输出连接垫的面积，如此一来便使芯片面积增加而使成本上升。同样地，当3.3V的晶体管操作在DDRIII规格的1.5V时，其操作电流I₃均会比当3.3V晶体管操作在正常的3.3V下的操作电流I₁小，且会比上述运作于1.8V下的情况更小，因此所需增加的面积就会更大了。

发明内容

因此，本发明的目的之一在于提供一种具有反馈机制的输出驱动讯号电路及方法，以解决上述问题。

依据本发明的一实施例，其披露一种输出讯号驱动电路。该输出讯号驱动电路包含有：一比较器，一第一开关，以及一第二开关。该比较器接收一参考电压，用来比较该参考电压与一输出端的电压电平以输出一比较讯号；该第一开关的一端耦接于一第一电源电压，其另一端耦接于一输出端，其中该第一开关导通与否依据一第一输入讯号以及该比较讯号，以选择性地将该第一电源电压与该输出端导通；以及该第二开关的一端耦接于该输出端，其另一端接收一第二电源电压，其中该第二开关导通与否依据一第二输入讯号以选择性地将该第二电源电压与该输出端导通；其中，该第一电源电压大于等于该参考电压。

依据本发明的一实施例，其披露一种驱动输出讯号的方法。该方法包含有下列步骤：比较一参考电压与一输出端的电压电平以输出一比较讯号；依据一第一输入讯号以及该比较讯号，选择性地将一第一电源电压与该输出端导通；以及依据一第二输入讯号，选择性地将一第二电源电压与该输出端导通；其中，该第一电源电压大于等于该参考电压。

附图说明

图1为已知3.3V晶体管的电流-电压特性曲线图。

图2为本发明输出讯号驱动电路的一实施例的示意图。

图3为图2所示的P型场效应晶体管的电流-电压特性曲线图。

图4为图2所示的N型场效应晶体管的电流-电压特性曲线图。

图5为本发明驱动输出讯号的方法的一实施例的流程图。

附图符号说明