[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括：

于其上形成有栅极布线的基板上顺序形成栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层和数据金属层；

形成光致抗蚀剂图案于源电极区域和漏电极区域中；

使用该光致抗蚀剂图案作为第一蚀刻停止层，蚀刻该数据金属层，以形成包括源电极和漏电极的数据布线；

回流该光致抗蚀剂图案以覆盖该源电极和该漏电极之间的沟道区；

使用经过回流的光致抗蚀剂图案作为第二蚀刻停止层，蚀刻该欧姆接触层和该半导体层，以形成包括欧姆接触图案和半导体图案的有源图案；

回蚀刻该经过回流的光致抗蚀剂图案，以露出该沟道区内的该欧姆接触图案的一部分；以及

使用经过回蚀刻的光致抗蚀剂图案作为第三蚀刻停止层，蚀刻该欧姆接触图案，完成具有沟道的薄膜晶体管。

2.如权利要求1所述的方法，其中该光致抗蚀剂图案包括酚醛清漆树脂或丙烯酸树脂。

3.如权利要求2所述的方法，其中该光致抗蚀剂图案包括具有1.5至2的分散度的粘合剂。

4.如权利要求3所述的方法，其中该光致抗蚀剂图案在150℃至160℃的温度范围回流。

5.如权利要求2所述的方法，其中该光致抗蚀剂图案在150℃至160℃的温度范围回流。

6.如权利要求1所述的方法，其中该光致抗蚀剂图案包括具有1.5至2的分散度的粘合剂。

7.如权利要求6所述的方法，其中该光致抗蚀剂图案在150℃至160℃的温度范围回流。

8.如权利要求1所述的方法，其中该光致抗蚀剂图案在150℃至160℃的温度范围回流。

9.如权利要求1所述的方法，还包括：

剥离该经过回蚀刻的光致抗蚀剂图案；

于其上形成有该数据布线的基板上形成覆层；以及

于该覆层上形成电连接到该漏电极的像素电极。

10.如权利要求9所述的方法，还包括：

形成有机层于该覆层上。

11.如权利要求9所述的方法，还包括：

形成存储电容器。

12.如权利要求11所述的方法，其中形成该存储电容器包括：

由与该栅极布线相同的层形成下存储电极，该下存储电极与该栅极布线隔开；以及

由与该数据布线相同的层形成上存储电极，该上存储电极与该下存储电极交叠。

13.如权利要求11所述的方法，其中形成该存储电容器包括由与该栅极布线相同的层形成下存储电极，该下存储电极与该栅极布线隔开，以及

其中该像素电极交叠该下存储电极以形成薄膜晶体管的上存储电极。

14.一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括：

于其上形成有栅极布线和栅极金属焊垫的基板上顺序形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触层；

形成穿过该栅极绝缘层、该半导体层和该欧姆接触层的接触孔以露出该栅极金属焊垫；

形成数据金属层于具有该接触孔的该基板上；

形成光致抗蚀剂图案于源电极区域、漏电极区域和焊垫区域中；

使用该光致抗蚀剂图案作为第一蚀刻停止层，蚀刻该数据金属层，以形成包括源电极和该漏电极的数据布线以及直接连接到该栅极金属焊垫的数据金属焊垫；

回流该光致抗蚀剂图案以覆盖该源电极和该漏电极之间的沟道区；

使用经过回流的光致抗蚀剂图案作为第二蚀刻停止层，蚀刻该欧姆接触层和该半导体层，以形成包括欧姆接触图案和半导体图案的有源图案；

回蚀刻该经过回流的光致抗蚀剂图案以露出该沟道区内的该欧姆接触图案的一部分；以及

使用经过回蚀刻的光致抗蚀剂图案作为第三蚀刻停止层，蚀刻该欧姆接触图案，完成具有沟道的薄膜晶体管。

15.如权利要求14所述的方法，其中该光致抗蚀剂图案包括酚醛清漆树脂或丙烯酸树脂。

16.如权利要求15所述的方法，其中该光致抗蚀剂图案包括具有1.5至2的分散度的粘合剂。

17.如权利要求16所述的方法，其中该光致抗蚀剂图案的回流在150℃至160℃的温度范围执行。