[发明专利]接点结构以及接合结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种接点结构以及接合结构，且特别涉及一种降低应力集中的接点结构以及使用此接点结构的接合结构。

背景技术

随着科技进步，各种电子装置朝向小型化及多功能化的方向发展。因此为了使电子装置中的芯片能传输或接收更多的信号，电性连接于芯片与线路板之间的接点也朝向高密度化的方向发展。

在已知技术中，电性连接芯片与玻璃基板的方法多为先在芯片的接点与玻璃基板的导电结构之间配置各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)，且芯片的接点与玻璃基板的导电结构皆面向各向异性导电膜。然后，压合芯片的接点、各向异性导电膜与玻璃基板的导电结构，以通过各向异性导电膜中的导电颗粒电性连接芯片的每一接点与玻璃基板上与前述接点对应的导电结构。

然而，当芯片的接点密度以及玻璃基板的导电结构的密度增加时，芯片的接点之间的间距以及玻璃基板的导电结构之间的间距皆缩小。因此，芯片的接点通过各向异性导电膜中的导电颗粒将有可能会与邻近的接点或导电结构电性连接，进而造成短路或漏电。

因此，已有人提出一种表面覆盖有金属层的柱状高分子凸块以做为芯片的接点结构。而使芯片的接点与玻璃基板的导电结构电性连接的方法是先在芯片与玻璃基板的导电结构之间配置非导电胶层。然后，将芯片压合于玻璃基板上，以使柱状高分子凸块贯穿非导电胶而与玻璃基板的导电结构接触并电性连接。然而，柱状高分子凸块于压合时易有应力集中的问题，因此易导致金属层破裂而影响其电性可靠度。

为了解决上述问题，US 7,170,187所提出的方法是在高分子凸块内加入金属粒子，并且在高分子凸块的表面或是内部加上金属结构，以使凸块本身具有导电以及弹性性质。但是此种方法所使用的金属粒子需另外开发，且在高分子凸块的表面或内部加上金属结构会使得工艺更为繁琐且复杂。

另外，US 7,246,432所提出的方法是使用特殊的高分子材料作为凸块材料。当对高分子凸块进行烘烤时会使其收缩而形成圆弧形结构，之后依序于圆形结构的凸块上覆盖另一层高分子材料层以及一层金属层。而此种方法所存在的缺点是在利用烘烤程序使高分子凸块收缩而形成圆弧形结构的时候，其工艺控制的难度相当高。如此，将使得整个凸块的制造程序难度高且较为复杂。

发明内容

本发明提供一种接点结构，其可以解决传统高分子凸块接合程序中所产生的应力集中而易导致金属层破裂的问题。

本发明提供一种接合结构，其使用特殊的接点结构设计，因而可以减少接合程序中易导致金属层破裂的问题。

本发明提出一种接点结构，其包括接垫、高分子凸块以及图案化导电层。上述接垫是位于基板上。上述高分子凸块是位于基板上。上述图案化导电层是位于高分子凸块上且与接垫电性连接，其中图案化导电层覆盖高分子凸块的一部分且暴露出高分子凸块的另一部分。

在本发明的一实施例中，上述高分子凸块具有一上表面以及多个侧表面，且两个相邻的侧表面之间具有一转角边，其中导电层至少暴露出转角边。

在本发明的一实施例中，上述图案化导电层包括至少一条状图案，其由高分子凸块的其中一侧表面经上表面而延伸至另一侧表面。

在本发明的一实施例中，上述图案化导电层包括至少一第一条状图案与至少一第二条状图案，第一与第二条状图案分别由高分子凸块的其中两个侧表面经上表面而延伸至另一侧表面，且第一与第二条状图案在上表面处相交。

在本发明的一实施例中，上述图案化导电层包括多个块状图案，每一块状图案覆盖其中一侧表面并延伸至上表面，且暴露出转角边。

在本发明的一实施例中，上述高分子凸块位于接垫上，或是位于基板上且未覆盖接垫。

在本发明的一实施例中，上述接点结构还包括一保护层，位于基板上且暴露出接垫。

在本发明的一实施例中，上述高分子凸块为多边形柱状结构或是多边形锥状结构。

在本发明的一实施例中，上述高分子凸块的材料包括一种或多种高分子材料。

在本发明的一实施例中，上述高分子凸块为单层结构或是多层结构。

在本发明的一实施例中，上述导电层的材料包括一种或多种导电材料。

在本发明的一实施例中，上述导电层为单层结构或是多层结构。