[发明专利]一种光电元件的客制化制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光电元件的客制化制造方法。

背景技术

半导体光电元件，例如发光二极管(LED)或太阳能电池(solar cell)，分 别具有节能及干净能源的功效，受到世界环保团体及各国政府广泛的重视， 并已订定时间表积极推广，以解决地球暖化的问题。面对快速成长的需求， 光电元件制造厂传统的人工结合半自动生产方式，至少会面临包括交期缩短， 以及客户端为因应多元应用产生的多样化产品规格的挑战。因此，除了积极 的扩张生产线以因应大量需求及多元的应用，有效率的生产流程及快速反应 客户的需求已为当前亟待改善的重点。

本发明提供一光电元件的客制化生产方法，同时兼顾客户需求及有效率 的生产，以加速产业运用。

发明内容

本发明揭露一光电元件的客制化制造方法。此客制化制造方法包含提供 一生产流程，包含一前段流程、一客制化模块接续此前段流程、以及一寄存 步骤介于此前段流程及此客制化模块之间；并且依前段流程生产一预定数量 的半成品暂停于此寄存步骤，依据一客户要求以调制此客制化模块使符合此 客户要求。

依本发明一实施例，所述的客户要求包含一亮度要求。

依本发明一实施例，所述的客户要求包含一光形或出光角度要求。

依本发明一实施例，所述的客户要求包含一波长要求。

依本发明一实施例，所述的客户要求包含一热阻要求。

依本发明一实施例，所述的客制化模块更包含预置一对照表或对照曲线 用以调制此客制化模块。

依本发明一实施例，所述的光电元件包含发光二极管或太阳能电池。

附图说明

图1为一流程图，显示依本发明的客制化制造方法的一实施例；

图2为一流程图，进一步揭示图1的客制化模块Q1；

图3为一流程图，进一步揭示图1的客制化模块Q2；

图4为一流程图，进一步揭示图1的客制化模块Q3；

图5为一流程图，进一步揭示图1的客制化模块Q4；

图6为一流程图，显示依本发明的客制化制造方法的另一实施例。

附图符号说明

    a1、a2：客制化模块Q1的子模块；

    b1、b2：客制化模块Q2的子模块；

    c1：客制化模块Q3的子模块；

    d1、d2：客制化模块Q4的子模块；

    ap1、ap2、bp1、bp2、cp1、dp1、dp2：客制化参数

    P1：亮度要求；

    P2：光形或出光角度要求；

    P3：波长要求；

    P4：热阻要求；

    Q1-Q4：客制化模块；

    S1-S7：标准流程步骤；

    T1-T5：寄存步骤；

    旁通1-旁通5：旁通步骤。

具体实施方式

图1揭示一符合本发明的客制化生产流程，包括标准流程步骤S1-S7、 介于步骤S4及S5间的客制化模块Q1-Q4、以及于客制化模块Q1-Q4前的一 寄存步骤T1。各步骤说明如下：

S1(成长基板)：提供一成长基板，用以成长一半导体磊晶迭层，此成长 基板包括用以成长磷化铝镓铟(AlGaInP)的砷化镓(GaAs)晶片，或用以成长氮 化铟镓(InGaN)的蓝宝石(Al₂O₃)晶片、氮化镓(GaN)晶片或碳化硅(SiC)晶片， 或用以成长III-V族太阳能电池迭层的硅晶片、锗晶片、或砷化镓晶片；

S2(磊晶成长)：在此成长基板上成长一具有光电特性的磊晶迭层，例如 发光(light-emitting)迭层或光伏(photovoltaic)迭层；

S3(晶片检测)：以一晶片测试机(testing prober)，测试成长基板上的 磊晶迭层是否符合电性要求，如定电压的电流值(I_v)；或波长特性如峰波长 值(peak wavelength)或半峰宽幅(half-peak width)；

S4(晶粒形成)：以微影及蚀刻工艺技术在上述的磊晶迭层定义出多个晶 粒结构及电极区域；