[发明专利]多沟道半导体集成电路

权利要求书

1、一种半导体集成电路，该半导体集成电路是一输出电路，其包括：与第一基准电位连接的高侧晶体管、与第二基准电位连接的低侧晶体管、驱动所述高侧晶体管的电平位移电路以及驱动所述低侧晶体管的预驱动电路，且以所述高侧晶体管与所述低侧晶体管的连接点作为输出端，其特征在于：

所述电平位移电路，具有栅极被所述预驱动电路驱动的第一及第二N型金属氧化物半导体晶体管；

该半导体集成电路还包括：阳极连接在未连接有所述高侧晶体管的栅极的所述第一或第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极上、阴极连接在所述输出端上的二极管。

2、根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于：

所述第一及第二N型金属氧化物半导体晶体管皆被来自所述预驱动电路的控制信号控制为截止；

所述输出端暂时保持所述控制信号被输入以前的状态。

3、一种半导体集成电路，该半导体集成电路是一输出电路，其包括：与第一基准电位连接的高侧晶体管、与第二基准电位连接的低侧晶体管、驱动所述高侧晶体管的电平位移电路以及驱动所述低侧晶体管的预驱动电路，且以所述高侧晶体管与所述低侧晶体管的连接点作为输出端，其特征在于：

所述电平位移电路，具有栅极被所述预驱动电路驱动的第一及第二绝缘栅双极型晶体管；

该半导体集成电路还包括：阳极连接在未连接有所述高侧晶体管的栅极的所述第一或第二绝缘栅双极型晶体管的集电极上、阴极连接在所述输出端上的二极管。

4、根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于：

所述第一及第二绝缘栅双极型晶体管皆被来自所述预驱动电路的控制信号控制为截止；

所述输出端暂时保持所述控制信号被输入以前的状态。

5、根据权利要求2或4所述的半导体集成电路，其特征在于：

该半导体集成电路还包括：利用多个2值输入控制信号和时序电路发出所述控制信号的输出保护控制电路。

6、根据权利要求2或4所述的半导体集成电路，其特征在于：

该半导体集成电路还包括：由异步的内装信号发送机发出所述控制信号的输出保护控制电路。

7、根据权利要求5所述的半导体集成电路，其特征在于：

所述输出保护控制电路发出所述控制信号，所述控制信号是在所述2值输入控制信号输入以前是所述高侧晶体管导通、所述低侧晶体管截止的状态的情况下，在所述2值输入控制信号输入以后使所述第一及第二晶体管的栅极信号皆不输出；在所述2值输入控制信号输入以前是所述高侧晶体管截止、所述低侧晶体管导通的状态的情况下，在所述2值输入控制信号输入以后使所述高侧晶体管截止同时也使所述低侧晶体管截止的信号。

8、根据权利要求5所述的半导体集成电路，其特征在于：

所述输出电路具有多个位。

9、根据权利要求8所述的半导体集成电路，其特征在于：

仅共同具有一个所述输出保护控制电路。

10、根据权利要求1或3所述的半导体集成电路，其特征在于：

所述高侧晶体管是厚膜P型金属氧化物半导体晶体管。

11、根据权利要求1或3所述的半导体集成电路，其特征在于：

所述输出电路是平板显示器的显示驱动电路。