[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810083762.7 | 申请日： | 2008-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101266957A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 宫田拓司;吉田哲哉 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体芯片，其在半导体基板的一主面设置有电极层；
多层金属层，其设置在所述电极层上；
连接件，其由金属板构成，通过预成型材料固定在所述多层金属层上，
所述多层金属层依照第一金属层、第二金属层、第三金属层的顺序进 行层积，该第一金属层膜厚为400～2000、以钛作为主要材料，该第二金 属层膜厚为100～1000、以镍作为主要材料，该第三金属层膜厚为 500～2000、由铜或铬构成。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电极层是铝层 或者含有硅的铝层。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属层是 钛或者含有硼的钛。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二金属层是 镍、含有磷的镍或含有硼的镍中的任意一种。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有由金、钯或白 金的任意一种构成的第四金属层。
6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
形成电极层的工序，在作为半导体芯片的半导体基板的第一主面形成 电极层；
形成第一金属层的工序，利用电子冲击加热蒸镀法，在该电极层上形 成膜厚为400～2000的以钛作为主要材料的第一金属层；
形成第二金属层的工序，利用电子冲击加热蒸镀法，在该第一金属层 上形成膜厚为100～1000的以镍作为主要材料的第二金属层；
形成第三金属层的工序，利用阻抗加热蒸镀法，在该第二金属层上形 成膜厚为500～2000的以铜或铬构成的第三金属层；
形成第四金属层的工序，利用阻抗加热蒸镀法，在该第三金属层上形 成膜厚为600～2000的以金或钯或白金构成的第四金属层；
形成其他电极层的工序，在所述半导体基板的第二主面形成其他电极 层；
固定连接件的工序，在所述第四金属层上涂敷预成型材料固定由金属 板构成的连接件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社，未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810083762.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体存储器件及其制造方法
- 下一篇：网站确认方法
