[发明专利]互补金属氧化物半导体影像感测器及其制造方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体影像感测器的制造方法，包括：

于基底中形成隔离结构，并定义出光感测区与晶体管元件区，其中前述晶体管元件区至少包括预定形成转移晶体管的区域；

在前述基底上依序形成第一介电层以及第一导体层；

进行第一离子注入工艺，将第一掺杂剂透过前述第一导体层与前述第一介电层注入前述转移晶体管的栅极预定形成位置下方以及前述光感测区的前述基底中，其中该基底与该第一掺杂剂具有相同的导电类型；

图案化前述第一导体层、前述第一介电层，以于前述晶体管元件区上形成前述转移晶体管的栅极结构；以及

于前述光感测区的前述基底中形成光电二极管。

2.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体影像感测器的制造方法，其中前述第一掺杂剂包括硼或磷。

3.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体影像感测器的制造方法，其中前述第一离子注入工艺包括：

于前述第一导体层上形成图案化的第一掩模层，以暴露出前述转移晶体管的栅极预定形成位置与前述光感测区上方的前述第一导体层；

以前述图案化的第一掩模层为掩模，将前述第一掺杂剂透过前述第一导体层与前述第一介电层注入前述基底中；以及

移除前述图案化的第一掩模层。

4.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体影像感测器的制造方法，其中在前述基底上依序形成前述第一介电层以及前述第一导体层的步骤之后、进行前述第一离子注入工艺之前，还包括：

于前述第一导体层上依序形成第二介电层、第二导体层；以及

图案化前述第二导体层与前述第二介电层，

其中，前述图案化第一导体层、前述第一介电层的步骤包括：于前述晶体管元件区上同时形成前述转移晶体管的栅极结构以及由图案化的第一导体层、图案化的第二介电层以及图案化第二导体层所组成的复合结构。

5.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体影像感测器的制造方法，其中前述晶体管元件区还包括浮置节点掺杂区，前述第一离子注入工艺还包括将前述第一掺杂剂透过前述第一导体层与前述第一介电层注入前述浮置节点掺杂区的前述基底中。

6.如权利要求5所述的互补金属氧化物半导体影像感测器的制造方法，其中前述第一离子注入工艺包括：

于前述第一导体层上形成图案化的第二掩模层，以暴露出前述浮置节点掺杂区、前述转移晶体管的栅极预定形成位置以及前述光感测区上方的前述第一导体层；

以前述图案化的第二掩模层为掩模，将前述第一掺杂剂透过前述第一导体层与前述第一介电层注入前述基底中；以及

移除前述图案化的第二掩模层。

7.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体影像感测器的制造方法，其中还包括进行第二离子注入工艺，前述第二离子注入工艺包括透过前述第一导体层与前述第一介电层，将第二掺杂剂注入邻接前述光感测区的前述隔离结构周边的前述基底中。

8.如权利要求7所述的互补金属氧化物半导体影像感测器的制造方法，其中前述第二掺杂剂包括硼或磷。

9.如权利要求7所述的互补金属氧化物半导体影像感测器的制造方法，其中前述进行第二离子注入工艺包括：

于前述第一导体层上形成图案化的第三掩模层，以暴露出邻接前述光感测区的前述隔离结构以及前述隔离结构周边上方的前述第一导体层；

以前述图案化的第三掩模层为掩模，将前述第二掺杂剂透过前述第一导体层与前述第一介电层注入前述隔离结构周边的前述基底中；以及

移除前述图案化的第三掩模层。

10.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体影像感测器的制造方法，其中前述隔离结构包括场氧化隔离结构或浅沟槽隔离结构。

11.一种互补金属氧化物半导体影像感测器，至少包括：

基底；

隔离结构，设置于前述基底中，用以于前述基底中定义出光感测区与晶体管元件区；

光电二极管，设置于前述光感测区中；

转移晶体管，设置于前述晶体管元件区上，且邻接于前述光电二极管；

第一保护层，设置于前述转移晶体管的栅极正下方以及前述光感测区的前述基底中。

12.如权利要求11所述的互补金属氧化物半导体影像感测器，其中前述第一保护层的掺杂剂包括硼或磷。