[发明专利]高纯度多晶硅的制造装置及制造方法

权利要求书

1.一种高纯度多晶硅的制造装置，其特征在于包括：

氯化硅的气化装置；

锌熔融蒸发装置；

立式反应器，外周面具备加热机构；

氯化硅气体供给喷嘴，以连接在所述氯化硅的气化装置和所述立式反 应器之间的方式配置，将所述氯化硅的气化装置提供的氯化硅气体供应到 所述立式反应器内；

锌气体供给喷嘴，以连接在所述锌熔融蒸发装置和所述立式反应器之 间的方式配置，将所述锌熔融蒸发装置提供的锌气体供应到所述立式反应 器内；以及

排气抽出管，与所述立式反应器相连接，

所述锌熔融蒸发装置包括：

蒸发器；

主纵筒部，与所述蒸发器的上部相连接；

固态物分离管，插入到所述主纵筒部的内部；

锌导入用管，倾斜地与所述固态物分离管相连接；

密封罐，以围绕所述固态物分离管的下端开口部的方式配置，且构成 所述固态物分离管的底面；

感应加热装置，安装在所述主纵筒部的外周面且可调节温度；以及

气体排放用管，与所述蒸发器的侧壁相连接，

所述密封罐经由间隔件而安装在所述固态物分离管的外周面与所述密 封罐的内周面之间，或经由所述间隔件而安装在所述密封罐的外周面与所 述主纵筒部的内周面之间，

在熔融所述密封罐内的锌的时候，能通过所述间隔件的使用使熔融锌 从所述密封罐与所述固态物分离管之间向所述密封罐外流出。

2.如权利要求1所述的高纯度多晶硅的制造装置，其特征在于：

在所述蒸发器的外侧安装着均热强化材料。

3.如权利要求1所述的高纯度多晶硅的制造装置，其特征在于：

在所述密封罐的上部开口缘上形成着切口槽。

4.如权利要求1所述的高纯度多晶硅的制造装置，其特征在于：

在所述固态物分离管及所述主纵筒部上分别连接着惰性气体导入管。

5.一种高纯度多晶硅的制造方法，其使用权利要求1至4中任一权利 要求所述的高纯度多晶硅的制造装置，其特征在于：

从氯化硅气体供给喷嘴及所述锌气体供给喷嘴，向所述立式反应器内 分别提供氯化硅气体和锌气体，

利用氯化硅气体与锌气体的反应，在氯化硅气体供给喷嘴的前端部， 朝向下方生成凝聚为大致呈现管状的多晶硅。