[发明专利]像素电路、显示设备以及显示设备的制造方法有效
申请号: | 200810084028.2 | 申请日: | 2008-03-18 |
公开(公告)号: | CN101271920A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 山本哲郎;内野胜秀;饭田幸人 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/522;G09G3/30 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 显示 设备 以及 制造 方法 | ||
1.一种像素电路,包括:
至少一个晶体管,其导通状态被由控制端接收的驱动信号所控制;以及
驱动配线,向其传输所述驱动信号,所述晶体管的所述控制端连接至所述驱动配线;
所述驱动配线连接至不同层中的配线,以形成多层配线。
2.根据权利要求1所述的像素电路,进一步包括:
电源配线层;以及
第一配线层,在层的堆叠方向上设置在与形成在与所述电源配线层不同的层中的信号配线层相同的层中;
所述驱动配线形成在与所述电源配线层相同的层中,并连接至所述第一配线层,以形成多层配线。
3.根据权利要求1所述的像素电路,进一步包括:
电源配线层;
第一配线层,在层的堆叠方向上设置在与形成在与所述电源配线层不同的层中的信号配线层相同的层中;以及
第二配线层,在层的堆叠方向上设置在与形成在与所述电源配线层和所述第一配线层不同的层中的所述晶体管的控制端的配线层相同的层中;
所述驱动配线形成在与所述电源配线层相同的层中,并连接至所述第一配线层和所述第二配线层,以形成多层配线。
4.根据权利要求1所述的像素电路,进一步包括:
电源配线层;以及
第一配线层,在层的堆叠方向上设置在与形成在与所述电源配线层不同的层中的所述晶体管的控制端的配线层相同的层中;
所述驱动配线形成在与所述电源配线层相同的层中,并连接至所述第一配线层,以形成多层配线。
5.一种像素电路,包括:
电源线,向其施加有彼此不同的电压;
基准电位;
驱动配线,向其传输驱动信号;
发光装置,被配置为发射依赖于流过的电流的亮度的光;
驱动晶体管;
开关晶体管,连接在信号线和所述驱动晶体管的栅极之间,并且栅极连接至所述驱动配线,使得通过所述驱动信号来控制导通状态;以及
电容器,连接在所述驱动晶体管的栅极与源极之间;
所述驱动晶体管和所述发光装置串联连接在所述电源线与所述基准电位之间;
所述驱动配线连接至不同层中的配线,以形成多层配线。
6.根据权利要求5所述的像素电路,进一步包括:
电源线配线层;以及
第一配线层,在层的堆叠方向上设置在与形成在与所述电源线配线层不同的层中的信号配线层相同的层中;
所述驱动配线形成在与所述电源线配线层相同的层中,并连接至所述第一配线层,以形成多层配线。
7.根据权利要求5所述的像素电路,进一步包括:
电源线配线层;
第一配线层,在层的堆叠方向上设置在与形成在与所述电源线配线层不同的层中的信号配线层相同的层中;以及
第二配线层,在层的堆叠方向上设置在与形成在与所述电源线配线层和所述第一配线层不同的层中的所述开关晶体管的栅极的配线层相同的层中;
所述驱动配线形成在与所述电源线配线层相同的层中并连接至所述第一配线层和所述第二配线层,以形成多层配线。
8.根据权利要求5所述的像素电路,进一步包括:
电源线配线层;以及
第一配线层,在层的堆叠方向上设置在与形成在与所述电源线配线层不同的层中的所述开关晶体管的栅极的配线层相同的层中;
所述驱动配线形成在与所述电源线配线层相同的层中,并连接至所述第一配线层,以形成多层配线。
9.根据权利要求5所述的像素电路,其中,所述电容器被设置在所述电容器在层的堆叠方向上不与所述驱动配线重叠的偏移位置处。
10.一种显示设备,包括:
多个像素电路,以矩阵形式排列,每一个均包括至少一个晶体管,所述晶体管的导通状态被由控制端接收的驱动信号所控制;
至少一个扫描器,被配置为将所述驱动信号输出至形成所述像素电路的晶体管的控制端;以及
至少一条驱动配线,共同连接至所述多个像素电路的晶体管的控制端,并向其传输来自所述扫描器的驱动信号;
所述驱动配线连接至不同层的配线,以形成多层配线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的