[发明专利]发光二极管的固晶方法有效
申请号: | 200810084033.3 | 申请日: | 2008-03-18 |
公开(公告)号: | CN101540355A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 郭信男;赵自皓;陈群鹏 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L21/78 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁 挥;祁建国 |
地址: | 台湾省台北县土*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 方法 | ||
1.一种发光二极管LED的固晶方法,其特征在于,至少包含:
形成一LED芯片,至少包含一蓝宝石层和一外延层覆盖于该蓝宝石层的一 表面上;
移除该蓝宝石层;
形成数个LED于该外延层的一表面上,且该些相邻LED之间为数个切割道;
在该外延层的另一相对表面上形成一第一光阻层并图案化;
在该第一光阻层图案化后的凹陷部分填入一金属层;
在该第一层光阻层和该金属层的表面上形成一第二光阻层并图案化;
在该第二光阻层图案化后的凹陷部分填入锡膏材料;以及
移除该第一与该第二光阻层;
其中图案化的该第二光阻层的图案对齐于该些切割道的图案。
2.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,图案化该第一和该第 二光阻层的工艺包含进行一曝光显影步骤。
3.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,该第一和该第二光阻 层为正型光阻或负型光阻材料构成。
4.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,填入该锡膏材料的工 艺包含旋转涂盖、化学气相沉积法、物理气相沉积法、蒸镀法、溅镀法、无电 极电镀法、化学电镀法、电铸方法或以上的任意组合。
5.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,该锡膏材料主要包含 锡、银、或铜。
6.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,还包含在移除该第一 和该第二光阻层之后,沿着该些切割道切割该LED芯片成为数个LED晶粒。
7.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,还包含在形成该LED 芯片的工艺中,在该些LED上形成数个接触垫。
8.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,还包含在填入该锡膏 材料后,随即进行回焊工艺。
9.根据权利要求1所述的固晶方法,其特征在于,移除该第一和该第二 光阻层的工艺包含研磨法、化学蚀刻法、激光剥除法或以上的任意组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亿光电子工业股份有限公司,未经亿光电子工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810084033.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。