[发明专利]形成第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件用的电极的方法有效
| 申请号： | 200810084079.5 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101276872A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 五所野尾浩一;守山实希 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 氮化物 化合物 半导体 发光 器件 电极 方法 | ||
1.一种形成用于第III族氮化物化合物半导体发光器件的电极的方法，包括：
在第III族氮化物化合物半导体层上形成平均厚度小于1nm的第一电极层的步骤，所述第一电极层由对所述第III族氮化物化合物半导体层具有高粘合性的材料或与所述第III族氮化物化合物半导体层具有低接触电阻的材料制成；和
在所述第一电极层上形成由高反射性金属材料制成的第二电极层的步骤。
2.根据权利要求1所述的方法，其中以0.2nm/s或更小的速率形成所述第一电极层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中用于形成所述第一电极层的材料是选自以下的至少一种：金属，例如钛、钒、铬、镍、铟、钴、铜、钨、钽、铌、锡、铪、锆、锰和镁；至少两种所述金属的合金；主要含有至少一种所述金属的合金；所述金属的氮化物；和所述金属的碳化物。
4.根据权利要求2所述的方法，其中用于形成所述第一电极层的材料是选自以下的至少一种：金属，例如钛、钒、铬、镍、铟、钴、铜、钨、钽、铌、锡、铪、锆、锰和镁；至少两种所述金属的合金；主要含有至少一种所述金属的合金；所述金属的氮化物；和所述金属的碳化物。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述高反射性金属材料是选自以下的至少一种：金属，例如银、铝、铑和铂；至少两种所述金属的合金；和主要含有至少一种所述金属的合金，所述第二电极层具有0.03～5μm的厚度。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述高反射性金属材料是选自以下的至少一种：金属，例如银、铝、铑和铂；至少两种所述金属的合金；和主要含有至少一种所述金属的合金，所述第二电极层具有0.03～5μm的厚度。
7.根据权利要求3所述的方法，其中所述高反射性金属材料是选自以下的至少一种：金属，例如银、铝、铑和铂；至少两种所述金属的合金；和主要含有至少一种所述金属的合金，所述第二电极层具有0.03～5μm的厚度。
8.根据权利要求4所述的方法，其中所述高反射性金属材料是选自以下的至少一种：金属，例如银、铝、铑和铂；至少两种所述金属的合金；和主要含有至少一种所述金属的合金，所述第二电极层具有0.03～5μm的厚度。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的方法，其中所述电极是n-电极，所述第III族氮化物化合物半导体层是负型的。
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