[发明专利]具有多功能整合芯片的发光二极管封装结构及其封装方法有效

专利信息
申请号: 200810084548.3 申请日: 2008-03-25
公开(公告)号: CN101546756A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 汪秉龙;巫世裕;吴文逵 申请(专利权)人: 宏齐科技股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/16;H01L21/50
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁 挥;祁建国
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 多功能 整合 芯片 发光二极管 封装 结构 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种具有多功能整合芯片的发光二极管封装结构,其特征在于,包括:

一基板单元;

一发光单元,其具有多个电性地设置于该基板单元上的发光二极管芯片;

一芯片单元,其电性地设置于该基板单元上,并且该芯片单元设置于该发光单元与一电源之间;

一封装胶体单元,其覆盖于该等发光二极管芯片上,该封装胶体单元为一相对应该等发光二极管芯片的条状荧光胶体;以及

一框架单元,其用于包覆该条状荧光胶体而只露出该条状荧光胶体的侧表面,其中该条状荧光胶体的上表面及前表面分别具有一胶体弧面及一胶体出光面,并且该框架单元为一不透光框架层。

2.如权利要求1所述的具有多功能整合芯片的发光二极管封装结构,其特征在于:该基板单元为一印刷电路板、一软基板、一铝基板、一陶瓷基板、或一铜基板。

3.如权利要求1所述的具有多功能整合芯片的发光二极管封装结构,其特征在于:该基板单元具有一基板本体、及分别形成于该基板本体上的一正极导电轨迹与一负极导电轨迹。

4.如权利要求3所述的具有多功能整合芯片的发光二极管封装结构,其特征在于:该基板本体包括一金属层及一成形在该金属层上的电木层。

5.如权利要求3所述的具有多功能整合芯片的发光二极管封装结构,其特征在于:该正、负极导电轨迹为铝线路或银线路。

6.如权利要求3所述的具有多功能整合芯片的发光二极管封装结构,其特征在于:每一个发光二极管芯片具有分别电性连接于该基板单元的正、负极导电轨迹的一正极端与一负极端。

7.如权利要求1所述的具有多功能整合芯片的发光二极管封装结构,其特征在于:该芯片单元为一定电流芯片(ConstAnt-Current Chip)、一脉冲宽度调变控制芯片(PWM Control Chip)、一区域控制芯片(zone Control Chip)、一过热保护芯片(OTP Chip)、一过电流保护芯片(OCP Chip)、一过电压保护芯片(OVP Chip)、一抗电磁干扰芯片(Anti-EMI Chip)、或一抗静电芯片(Anti-ESD Chip)。

8.如权利要求1所述的具有多功能整合芯片的发光二极管封装结构,其特征在于:该芯片单元为一定电流芯片(ConstAnt-Current Chip)、一脉冲宽度调变控制芯片(PWM Control Chip)、一区域控制芯片(zone Control Chip)、一过热保护芯片(OTP Chip)、一过电流保护芯片(OCP Chip)、一过电压保护芯片(OVP Chip)、一抗电磁干扰芯片(Anti-EMI Chip)、及一抗静电芯片(Anti-ESD Chip)的任意组合。

9.如权利要求1所述的具有多功能整合芯片的发光二极管封装结构,其特征在于:该芯片单元由一定电流芯片(ConstAnt-Current Chip)、一脉冲宽度调变控制芯片(PWM Control Chip)、一区域控制芯片(zone Control Chip)、一过热保护芯片(OTP Chip)、一过电流保护芯片(OCP Chip)、一过电压保护芯片(OVP Chip)、一抗电磁干扰芯片(Anti-EMI Chip)、及一抗静电芯片(Anti-ESD Chip)组合而成。

10.如权利要求1所述的具有多功能整合芯片的发光二极管封装结构,其特征在于:该条状荧光胶体由一硅胶(siliCon)与一荧光粉(fluoresCent powder)混合而成或由一环氧树脂(epoxy)与一荧光粉(fluoresCent powder)混合而成。

11.一种具有多功能整合芯片的发光二极管封装结构,其特征在于,包括:

一基板单元;

一发光单元,其具有多个电性地设置于该基板单元上的发光二极管芯片;

一芯片单元,其电性地设置于该基板单元上,并且该芯片单元设置于该发光单元与一电源之间;

一封装胶体单元,其具有多个覆盖这些发光二极管芯片的荧光胶体;以及

一框架单元,其具有多个框架层,并且每一个框架层用于围绕该相对应的荧光胶体而只露出该相对应荧光胶体的上表面,其中该等框架层为多个不透光框架层。

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