[发明专利]改善蚀刻率均匀性的技术

权利要求书

1.一种用于蚀刻衬底的等离子体处理室，所说等离子体处理室包括：

衬底，具有顶表面、底表面和边；

射频RF驱动夹盘，所说的RF驱动夹盘支撑至少一部分衬底的底表面；和

内RF耦合边环，它置于所说的RF驱动夹盘的一部分上面并且邻近衬底的一边，

包围所说的内RF耦合边环的外边环，

其中所说的RF驱动的夹盘所提供的一部分RF能量被耦合到所说的内RF耦合边环；

在所说的内RF耦合边环和所说的RF驱动夹盘的部分之间提供的RF耦合器，

其中由所说的RF驱动的夹盘所提供的一部分RF能量通过所说的RF耦合器被耦合到所说的内RF耦合边环。

2.一种用于蚀刻衬底的等离子体处理室，该衬底有顶表面，底表面和一个边，所说的等离子体处理室包括：

射频RF驱动的夹盘，所说的RF驱动夹盘支撑衬底底表面的至少一部分；

有内表面和上表面的抬升边环，其内表面置于所说的RF驱动夹盘的一部分上面并邻近衬底一边，上表面到衬底的顶表面有一预定的抬升距离，

在所述抬升边环和所述RF驱动的夹盘之间提供的RF耦合器，

其中由所述RF驱动的夹盘所提供的一部分RF能量通过所述RF耦合器被提供到所述抬升边环。

3.权利要求2的等离子体处理室，其中抬升边环包围衬底。

4.权利要求2的等离子体处理室，其中衬底为晶片。

5.权利要求2的等离子体处理室，其中抬升边环基本上由电介质材料组成。

6.权利要求2的等离子体处理室，其中预定的抬升距离在1到10毫米之间。

7.一种用于蚀刻衬底的等离子体处理室，该衬底有顶表面，底表面和边，所说的等离子体处理室包括：

射频RF驱动的夹盘，所说的RF驱动的夹盘支撑至少一部分衬底的底表面；和

槽形边环，它有置于所说的RF驱动的夹盘一部分上面并邻近衬底边缘的一内表面，和

其中槽形边环在邻近衬底边缘提供槽形区。

8.权利要求7的等离子体处理室，其中槽形边环的槽形区围绕衬底。

9.权利要求7的等离子体处理室，其中衬底是晶片。

10.权利要求7的等离子体处理室，其中槽形边环基本上由电介质材料组成。

11.权利要求7的等离子体处理室，其中槽形区的底表面位于衬底底表面下一预定距离。

12.权利要求7的等离子体处理室，其中槽形区由第一斜坡面和被衬底底表面部分覆盖的第二部分覆盖的斜坡面限定，该第一斜坡面将上表面与该部分覆盖的斜坡面连接。