[发明专利]角速度传感器装置无效
申请号: | 200810085369.1 | 申请日: | 2003-12-17 |
公开(公告)号: | CN101308160A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 佐藤政晴;石田琢磨;小林拓 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G01P9/04 | 分类号: | G01P9/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 角速度 传感器 装置 | ||
1.一种角速度传感器装置,包括:
激励部,向振动体提供振动;
振动电平检测部,检测振动体的振动电平;
科里奥利力检测部,检测由角速度产生的科里奥利力;
第一放大器,放大所述振动电平检测部的输出信号;
整流电路,对所述第一放大器的输出信号进行整流,获得直流电压;
比较电压发生电路,产生不依赖于电源电压的恒定电压;
可变增益放大器,输入所述第一放大器的输出信号,并根据所述整流电路的输出值与所述比较电压发生电路的输出值之差,来改变放大率;
第二放大器,将所述科里奥利力检测部的输出信号输入到输入端并进行放大;
相位检波器,根据所述振动体的振动频率,对所述第二放大器的输出电压进行相位检波;以及
直流放大器,对所述相位检波器的输出进行直流放大,
该角速度传感器装置的特征在于,
所述第二放大器具有与所述电源电压成比例的放大率。
2.根据权利要求1记载的角速度传感器装置,其特征在于,
所述第二放大器包括:
运算放大器,具有同相输入端、反相输入端和输出端;
第一P沟道的MOS晶体管,具有与所述输出端连接的漏极端、以及与所述反相输入端连接的源极端;
第二P沟道的MOS晶体管,具有与所述第二放大器的所述输入端连接的漏极端、以及与所述反相输入端连接的源极端;
第一电压源,输出将所述电源电压进行分压后的电压;
第二电压源,以所述第一电压源的输出电压为基准,输出具有与所述第一和第二MOS晶体管的阈值电压大致相同的电位差的正电压;以及
第三电压源,以所述第一电压源的输出电压为基准,输出规定的负电压,
所述第二电压源的输出施加在所述同相输入端上,
所述第三电压源的输出施加在所述第一P沟道的MOS晶体管的栅极,
地电位施加在第二P沟道的MOS晶体管的栅极。
3.根据权利要求1记载的角速度传感器装置,其特征在于,
所述第二放大器包括:
运算放大器,具有同相输入端、反相输入端和输出端;
第一N沟道的MOS晶体管,具有与所述输出端连接的漏极端、以及与所述反相输入端连接的源极端;
第二N沟道的MOS晶体管,具有与所述第二放大器的所述输入端连接的漏极端、以及与所述反相输入端连接的源极端;
第一电压源,输出将所述电源电压进行分压后的电压;
第二电压源,以所述第一电压源的输出电压为基准,输出具有与所述第一和第二MOS晶体管的阈值电压大致相同的电位差的负电压;以及
第三电压源,以所述第一电压源的输出电压为基准,输出规定的正电压,
所述第二电压源的输出施加在所述同相输入端上,
所述第三电压源的输出施加在所述第一N沟道的MOS晶体管的栅极,
所述电源电压施加在第二N沟道的MOS晶体管的栅极。
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