[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

包括电路区域的半导体衬底；

在所述半导体衬底上的包括金属互连的层间电介质；和

在所述金属互连上的光接收光电二极管部，

其中所述光接收光电二极管部具有凸形。

2.根据权利要求1的图像传感器，其中所述金属互连具有从所述层间电介质凸出的凸形，其中所述光接收光电二极管部的凸形遵循所述金属互连的所述凸出的凸形。

3.根据权利要求1的图像传感器，其中所述光接收光电二极管部包括第一导电型图案、本征层、和第二导电型导电层。

4.根据权利要求1的图像传感器，还包括在所述光接收光电二极管部和所述金属互连之间的所述金属互连上的下电极。

5.根据权利要求4的图像传感器，其中所述下电极具有凸形。

6.权利要求1的图像传感器，还包括：

在所述光接收光电二极管部上的上电极；和

所述上电极上的滤色器阵列。

7.根据权利要求6的图像传感器，其中所述上电极和所述滤色器阵列各自具有遵循所述光接收光电二极管部的所述凸形的凸形。

8.根据权利要求6的图像传感器，其中所述上电极包括透明电极。

9.一种制造图像传感器的方法，包括：

在包括电路区域的半导体衬底上形成包括金属互连的层间电介质；和

在所述金属互连上形成具有凸形的光接收光电二极管部。

10.根据权利要求9的方法，其中所述光接收光电二极管部的形成包括：

在所述金属互连上形成具有凸形的第一导电型图案；

在上述第一导电型图案上形成本征层；和

在所述本征层上形成第二导电型导电层。

11.根据权利要求10的方法，其中在所述金属互连上形成具有凸形的所述第一导电型图案包括：

在包括所述金属互连的所述层间电介质上沉积金属层；

在所述金属层上沉积第一导电型导电层；

在覆盖所述金属互连上的第一导电型导电层的区域的所述第一导电型导电层上形成光刻胶图案；和

使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第一导电型导电层和所述金属层，从而形成下电极和所述第一导电型图案。

12.根据权利要求11的方法，其中所述下电极和所述第一导电型图案仅形成在所述金属互连上。

13.根据权利要求10的方法，其中形成所述本征层包括在所述层间电介质和所述第一导电型图案上沉积所述本征层。

14.权利要求10的方法，其中所述第二导电型导电层的形成包括在所述本征层上沉积第二导电型导电层。

15.根据权利要求9的方法，还包括在形成所述光接收光电二极管部之前在所述金属互连上形成下电极。

16.根据权利要求9的方法，其中形成包括所述金属互连的所述层间电介质包括在所述层间电介质内形成所述金属互连，使得一部分所述金属互连以凸形在所述层间电介质的上表面上突出出来，其中所述光接收光电二极管部的凸形遵循所述金属互连的凸出部分的凸形。

17.根据权利要求9的方法，其中包括所述金属互连的所述层间电介质的形成包括进行镶嵌工艺。

18.根据权利要求17的方法，其中包括所述金属互连的所述层间电介质的形成包括：

使用电镀工艺在通过所述镶嵌工艺形成的通孔中形成铜层，和

使用湿蚀刻工艺除去除了所述通孔上的区域之外的在所述层间电介质表面上的铜层部分，使得铜保持从所述通孔以凸形向上延伸。

19.根据权利要求9的方法，还包括：

在所述光接收光电二极管部上形成上电极；和

在所述上电极上形成滤色器。

20.根据权利要求19的方法，其中所述上电极包括透明电极。