[发明专利]半导体装置及制法、半导体封装、电子设备及制法、电子仪器无效
申请号: | 200810085403.5 | 申请日: | 2004-03-19 |
公开(公告)号: | CN101241906A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 青栁哲理 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/48;H01L23/498;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制法 封装 电子设备 电子仪器 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
第一半导体封装;和
分别隔着体积彼此不同的多个突出电极层叠在上述第一半导体封装上的第二半导体封装。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,突出电极的体积从上述半导体封装的中央部向外周部慢慢变化的。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,随着上述第一半导体封装和上述第二半导体封装之间的间隔变宽,上述突出电极的体积慢慢增大。
4.根据权利要求1~3中的任意1项所述的半导体装置,其特征在于,上述突出电极的导电性膏的量不同。
5.根据权利要求1~4中的任意1项所述的半导体装置,其特征在于,上述第一半导体封装包括第一载体基板和倒装片安装在上述第一载体基板上的第一半导体芯片,而上述第二半导体封装包括隔着上述突出电极安装在上述第一载体基板上,以使之保持在上述第一半导体芯片上的第二载体基板,搭载在上述第二载体基板上的第二半导体芯片,和密封上述第二半导体芯片的密封件。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,上述第一半导体封装是在上述第一载体基板上倒装片安装上述第一半导体芯片的球栅阵列,上述第二半导体封装是模压密封上述第二载体基板上搭载的第二半导体芯片的球栅阵列或芯片尺寸封装。
7.一种电子设备,其特征在于,包括:
第一载体基板;
倒装片安装在上述第一载体基板的第一电子部件;
分别隔着体积彼此不同的多个突出电极安装在上述第一载体基板上,以使之保持在上述第一电子部件上的第二载体基板;
上述第二载体基板上设置的第二电子部件;
密封上述第二电子部件的密封件。
8.一种电子仪器,其特征在于,包括:
第一半导体封装;
分别隔着体积彼此不同的多个突出电极层叠在上述第一半导体封装上的第二半导体封装;
安装上述第二半导体封装的母基板。
9.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
通过隔着具有掩膜厚度彼此不同的印刷面的印刷掩膜涂布导电材料,在第一半导体封装上形成厚度不同的导电材料的工序;
在第二半导体封装上形成突出电极的工序;
隔着上述导电材料将上述第二半导体封装上形成的突出电极接合在上述第一半导体封装,从而在上述第一半导体封装上层叠上述第二半导体封装的工序。
10.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
通过控制导电材料的涂布量在第一半导体封装上形成厚度不同的导电材料的工序;
在第二半导体封装上形成突出电极的工序;
隔着上述导电材料将上述第二半导体封装上形成的突出电极接合在上述第一半导体封装,从而在上述第一半导体封装上层叠上述第二半导体封装的工序。
11.一种电子设备的制造方法,其特征在于,包括:
在第一载体基板上安装第一电子部件的工序;
通过隔着具有掩膜厚度不同的印刷面的印刷掩膜涂布导电材料,在上述第一载体基板上形成厚度不同的导电材料的工序;
在第二载体基板上安装第二电子部件的工序;
在安装第二电子部件的第二载体基板上形成突出电极的工序;
隔着上述导电材料将上述第二载体基板上形成的突出电极接合在上述第一载体基板,从而在上述第一载体基板上层叠上述第二载体基板的工序。
12.一种电子设备的制造方法,其特征在于,包括:
在第一载体基板上安装第一电子部件的工序;
通过控制导电材料的涂布量,在上述第一载体基板上形成厚度不同的导电材料的工序;
在第二载体基板上安装第二电子部件的工序;
在已安装上述第二电子部件的第二载体基板上形成突出电极的工序;
隔着上述导电材料将上述第二载体基板上形成的突出电极接合在上述第一载体基板,从而在上述第一载体基板上层叠上述第二载体基板的工序。
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