[发明专利]存储器电容的电极结构以及存储器电容结构的制造方法

权利要求书

1.一种存储器电容的电极结构，包括：

下电极，由外部环状管体以及中心柱体所组成，该外部环状管体的径向截面为椭圆形；

介电层，覆盖该下电极；以及

上电极，覆盖该介电层，

其中该外部环状管体的短轴方向的厚度大于其长轴方向的厚度。

2.如权利要求1所述的存储器电容的电极结构，其中该外部环状管体的内外侧表面为凹凸状。

3.如权利要求2所述的存储器电容的电极结构，其中该外部环状管体的内外侧表面为波状或方波状。

4.如权利要求1所述的存储器电容的电极结构，其中该中心柱体的外侧表面为凹凸状。

5.如权利要求4所述的存储器电容的电极结构，其中该中心柱体的外侧表面为波状或方波状。

6.如权利要求1所述的存储器电容的电极结构，其中该下电极具有底电极，其电性连接该外部环状管体与该中心柱体。

7.如权利要求1所述的存储器电容的电极结构，其适用于随机存取存储器。

8.一种存储器电容的电极结构，包括：

下电极，具有多个交互堆叠的第一电极材料以及第二电极材料，且该下电极的内外侧表面为凹凸状；

介电层，覆盖该下电极；以及

上电极，覆盖该介电层，其中该第一电极材料与该第二电极材料经深蚀刻而形成外部环状管体以及中心柱体，该外部环状管体的径向截面为椭圆形，该外部环状管体的短轴方向的厚度大于其长轴方向的厚度。

9.如权利要求8所述的存储器电容的电极结构，其中该中心柱体具有圆柱或椭圆柱的外形。

10.如权利要求8所述的存储器电容的电极结构，其中该第一电极材料与该第二电极材料为不同蚀刻率的电极材料。

11.一种存储器电容结构的制造方法，包括：

依序形成多个交互堆叠的第一电极材料以及第二电极材料于基底上；

对该第一电极材料以及该第二电极材料进行深蚀刻，以形成下电极；

对该下电极的内外侧表面进行选择性侧向蚀刻；

于该下电极上覆盖介电层；以及

于该介电层上覆盖上电极，

其中该第一电极材料与该第二电极材料经深蚀刻而形成外部环状管体以及中心柱体，该外部环状管体的径向横截面为椭圆形，该外部环状管体的短轴方向的厚度大于其长轴方向的厚度。

12.如权利要求11所述的存储器电容结构的制造方法，其中该第一电极材料与该第二电极材料为不同蚀刻率的电极材料。

13.如权利要求11所述的存储器电容的制造方法，其中该外部环状管体的内外侧表面经侧向蚀刻而为凹凸状。

14.如权利要求11所述的存储器电容的制造方法，其中该中心柱体的外侧表面经侧向蚀刻而为凹凸状。