[发明专利]形成覆盖膜部分的基底处理方法无效
申请号: | 200810085589.4 | 申请日: | 2008-03-19 |
公开(公告)号: | CN101269479A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 间濑惠二;石桥正三 | 申请(专利权)人: | 株式会社不二制作所 |
主分类号: | B24C11/00 | 分类号: | B24C11/00;B24C1/10 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李雪春;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 覆盖 部分 基底 处理 方法 | ||
1.一种形成覆盖膜部分的基底处理方法,其特征在于,通过把磨粒混合分散在弹性体的母材中或使上述磨粒承载在上述弹性体的母材表面上所得到的弹性研磨材料,喷射到处理对象的形成覆盖膜部分上,磨粒不会埋入上述形成覆盖膜部分,并且,在上述形成覆盖膜部分上,以使所形成的覆盖膜产生固定效果的规定的表面粗糙度,形成凹凸。
2.如权利要求1所述的形成覆盖膜部分的基底处理方法,其特征在于,通过改变上述弹性研磨材料中的上述磨粒的颗粒直径,来控制上述形成覆盖膜部分的表面粗糙度。
3.如权利要求1或2所述的形成覆盖膜部分的基底处理方法,其特征在于,通过改变上述弹性研磨材料的喷射条件,来控制上述形成覆盖膜部分的表面粗糙度。
4.如权利要求3所述的形成覆盖膜部分的基底处理方法,其特征在于,在喷射压力为0.01MPa~0.5MPa、喷射距离为10mm~200mm的条件下,把平均颗粒直径0.5~230μm的绝缘性磨粒,承载在对应于该颗粒直径选择的平均颗粒直径为10~2000μm的上述弹性体上所得到的弹性研磨材料,以30~75°的入射角度进行喷射。
5.如权利要求1所述的形成覆盖膜部分的基底处理方法,其特征在于,通过喷射上述弹性研磨材料,在上述形成覆盖膜部分,上述弹性研磨材料中的磨粒成分Si的原子浓度水平没有增加。
6.如权利要求1所述的形成覆盖膜部分的基底处理方法,其特征在于,上述覆盖膜是在除了硬脆性材料之外的处理对象上形成,并随着施加电压而形成,上述磨粒是金刚砂、绿金刚砂、氧化铝等绝缘材料。
7.如权利要求4所述的形成覆盖膜部分的基底处理方法,其特征在于,在喷射压力为0.02MPa~0.5MPa、喷射距离为50mm~100mm的条件下,喷射将平均颗粒直径1.0~40μm的绝缘性磨粒,混合分散在对应于该颗粒直径选择的平均颗粒直径为35~1000μm的橡胶制弹性体中所得到的弹性研磨材料。
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