[发明专利]电流模式逻辑-互补金属氧化物半导体转换器

权利要求书

1.一种电流模式逻辑(CML)-互补金属氧化物半导体(CMOS) 转换器，包括：

第一参考电平偏移单元，其被配置成接收在第一参考电平周围摆动的 正CML信号，以便将所述第一参考电平偏移到第二参考电平；

第二参考电平偏移单元，其被配置成接收在所述第一参考电平周围摆 动的负CML信号，以便将所述第一参考电平偏移到第二参考电平；

第一CMOS反相单元，其被配置成将所述第一参考电平偏移单元的 输出信号的摆动范围放大到CMOS电平；

第二CMOS反相单元，被配置成将所述第二参考电平偏移单元的输 出信号的摆动范围放大到CMOS电平，以将所放大的第二参考电平偏移 单元输出信号输出为CMOS信号；

第一偏置单元，被配置成响应于所述第一CMOS反相单元的输出信 号，将源电流提供给所述第一CMOS反相单元和所述第二CMOS反相单 元；以及

第二偏置单元，被配置成响应于所述第一CMOS反相单元的输出信 号，将吸收电流提供给所述第一CMOS反相单元和所述第二CMOS反相 单元。

2.根据权利要求1所述的转换器，还包括：

第一操作控制单元，其被配置成响应于偏压，控制所述第一参考电平 偏移单元的接通/关断操作；以及

第二操作控制单元，其被配置成响应于所述偏压，控制所述第二参考 电平偏移单元的接通/关断操作。

3.根据权利要求1所述的转换器，其中，所述第一参考电平偏移单 元包括具有接收所述负CML信号的栅极、连接到电源电压端子的漏极和 连接到第一输出节点的源极的第一晶体管，以响应于所施加的正CML信 号的电压电平，控制在所述电源电压端子与所述第一输出节点之间流过的 电流的量。

4.根据权利要求3所述的转换器，其中，所述第二参考电平偏移单 元包括具有接收所述负CML信号的栅极、连接到所述电源电压端子的漏 极和连接到第二输出节点的源极的第二晶体管，以响应于所施加的负 CML信号的电压电平，控制在所述电源电压端子与所述第二输出节点之 间流过的电流的量。

5.根据权利要求4所述的转换器，其中，所述第一晶体管和所述第 二晶体管具有相同的阈值电压电平，且所述第一参考电平与所述第二参考 电平之间的电压电平差是根据所述阈值电压电平确定的。

6.根据权利要求1所述的转换器，其中，所述第一CMOS反相单元 包括：

第一晶体管，具有接收所述第一参考电平偏移单元的输出信号的栅 极、连接到源节点的源极和连接到偏置控制节点的漏极，以响应于所述第 一参考电平偏移单元的输出信号，控制在所述源节点和所述偏置控制节点 之间流过的电流的量；以及

第二晶体管，具有接收所述第一参考电平偏移单元的输出信号的栅 极、连接到所述偏置控制节点的漏极和连接到吸收节点的源极，以便响应 于所述第一参考电平偏移单元的输出信号，控制在所述偏置控制节点与所 述吸收节点之间流过的电流的量。

7.根据权利要求6所述的转换器，其中，所述第二CMOS反相单元 包括：

第三晶体管，具有接收所述第二参考电平偏移单元的输出信号的栅 极、连接到所述源节点的源极和连接到输出节点的漏极，以响应于所述第 二参考电平偏移单元的输出信号，控制在所述源节点和所述输出节点之间 流过的电流的量；以及

第四晶体管，具有接收所述第二参考电平偏移单元的输出信号的栅 极、连接到所述输出节点的漏极和连接到所述吸收节点的源极，以响应于 所述第二参考电平偏移单元的输出信号，控制在所述输出节点与所述吸收 节点之间流过的电流的量。

8.根据权利要求6所述的转换器，其中，所述第一偏置单元包括具 有接收所述偏置控制节点的电压的栅极、连接到电源电压端子的源极和连 接到所述源节点的漏极的第三晶体管，以控制在所述电源电压端子和所述 源节点之间流过的电流的量。

9.根据权利要求6所述的转换器，其中，所述第二偏置单元包括具 有接收所述偏置控制节点的电压的栅极、连接到所述吸收节点的漏极和连 接到地电压端子的源极的第三晶体管，以控制在所述吸收节点和所述地电 压端子之间流过的电流的量。