[发明专利]发光元件及其制造方法无效
申请号: | 200810085891.X | 申请日: | 2008-03-28 |
公开(公告)号: | CN101276873A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 竹本理史 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及适合于从侧面照射诸如液晶面板那样的薄型的显示体的发光元件及其制造方法。
背景技术
以往,作为从侧面照射液晶等显示面板的背光光源,使用特开2005-223082号公报(公开日2005年08月18日,以下为“专利文献1”)等中表示的侧面发光型的发光二极管(以下为“LED”)等发光元件。
发光元件101如图42所示,具有:形成有模片键合图案108和电极端子109的芯片基板114;安装在芯片基板114上的LED芯片103;连接LED芯片103和电极端子109的引线116;在芯片基板114上以包围LED芯片103的周围的方式配置并且在上面和侧壁的一部分具有开口部的反射框体123;作为反射框体123的侧壁内周面的反射面122;形成在芯片基板114上的反射框体123内并且把侧壁一侧的开口部作为光出射面117的光透过树脂体119;覆盖光透过树脂体119的上表面的反射膜121。以如下方式构成发光元件101:即从LED芯片103发出的光由反射框体123的反射面122和反射膜121反射,从形成在一侧面的光出射面117向外部出射。
此外,如果在发光元件内产生的热的散热较差,元件内的构件就受到热引起的损害,引起发光效率的下降、元件自身的损伤,无法确保长期的可靠性。因此,要求散热性优异的发光元件的开发。
例如,在特开2004-282004号公报(公开日2004年10月07日,以下为“专利文献2”)中描述散热性优异的发光元件用基板。
参照图15和图16,说明专利文献2的发光元件用基板的结构。
图15是表示具有所述发光元件用基板的以往的发光元件1000的结构的剖面图。
图16是表示图15所示的发光元件用基板的导体图案1008和布线层1009的形状的图。
在所述的发光元件用基板中,如图15所示,作为导体图案1003,形成第一电极1004和第二电极1005,LED芯片(未图示)一方的电极与第一电极1004连接,另一方的电极与第二电极1005连接。
此外,第一电极1004、层间连接图案1006、保护金属层1007和导体图案1008从反射体1001的下侧连续形成到搭载有LED芯片的位置的下侧。另外,导体图案1008形成在布线层1009上。
而且,通过第一电极1004、层间连接图案1006、保护金属层1007和导体图案1008,使层叠的金属层叠体的、对反射体1001的发热进行传热的传热面积增大。即如图16所示,使导体图案1008的面积增大。
据此,通过保护金属层1002和金属层叠体,能高效将反射体1001的发热传递到保护金属层1012和下层的金属基板1010。
此外,在特开2005-235778号公报(公开日2005年9月2日,以下为“专利文献3”)中公开了如下结构:在搭载LED芯片的多布线基板的表面树脂中添加无机装填物(フイラ一),使该表面树脂变为白色,提高表面树脂的光反射率。
通常,来自LED芯片1003的出射光强度在图42中央箭头118所示的向上方向变为最大。可是,在上述的专利文献1的结构中,在来自LED芯片103的光出射方向上,反射膜121与LED芯片103的光出射面相面对地形成。因此,从LED芯片103出射的光在反射膜121和芯片基板114之间反复反射,从LED芯片103出射的光的大部分无法从光出射面117向外部高效出射,而由反射膜121和芯片基板114所吸收。
此外,在所述专利文献1的发光元件101的结构中,光出射面117形成在来自LED芯片103的出射光强度变为最大的向上方向(箭头118)偏移90度的位置。因此,无法把从LED芯片103出射的光高效向发光元件101的光出射面引导,向元件外部取出。此外,在光透过树脂体119的材料的树脂中使用荧光体粒子时,没有变换为荧光的光和没有被散射的光在反射膜121和芯片基板114之间反复反射,大部分由反射膜121和芯片基板114吸收。由于荧光体粒子量的变动,散射程度变动,所以光取出效率不稳定。
此外,近年来,伴随着具有液晶面板的移动电话等电子仪器的薄型化,要求液晶背光中使用的侧面发光型LED的薄型化。可是,在专利文献1所示的以往的构造中,是LED芯片103的上表面和反射膜121的距离越短,所述光吸收和泄漏引起的损伤越增大的结构,所以存在来自发光元件的光取出效率进一步下降的问题。
因此,要求不引起光取出效率的下降、能实现薄型化的侧面发光型LED的开发。
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