[发明专利]频率合成器

权利要求书

1.一种频率合成器，其特征在于，所述的频率合成器包含：

谐波锁相以及锁频检测器，接收参考信号以及分割信号，用于减少突波以及减少稳定时间；

低通滤波器，耦接于所述的谐波锁相以及锁频检测器；

压控振荡器，耦接于所述的低通滤波器，并提供输出信号；以及

分频器，耦接于所述的压控振荡器以及所述的谐波锁相以及锁频检测器之间，用于将所述的输出信号分频以产生所述的分割信号；

其中，所述的分割信号的频率为所述的参考信号的谐波频率。

2.如权利要求1所述的频率合成器，其特征在于，所述的谐波锁相以及锁频检测器包含：

D触发器，于数据输入端接收所述的参考信号，并于时钟输入端接收所述的分割信号；

异或门，接收所述的参考信号以及所述的D触发器的反向输出信号；

提升电流源；以及

下拉电流源；其中，所述的提升电流源由所述的异或门的输出信号控制，以及所述的下拉电流源由所述的分割信号控制。

3.如权利要求1所述的频率合成器，其特征在于，所述的频率合成器进一步包含预除器，耦接于所述的分频器以及所述的谐波锁相以及锁频检测器之间。

4.一种频率合成器，其特征在于，所述的频率合成器包含：

谐波锁相以及锁频检测器，用于接收参考信号以及分割信号；

低通滤波器，耦接于所述的谐波锁相以及锁频检测器；

压控振荡器，耦接于所述的低通滤波器，并提供输出信号；以及

分频器，耦接于所述的压控振荡器以及所述的谐波锁相以及锁频检测器之间，用于将所述的输出信号分频；

其中，所述的压控振荡器包含：

一对金属氧化物半导体晶体管，其中，所述的这对金属氧化物半导体晶体管中的每一个金属氧化物半导体晶体管具有耦接于地的源极，以及交叉耦接于所述的这对金属氧化物半导体晶体管中另一金属氧化物半导体晶体管的漏极的栅极；以及

分布式电感电容槽，耦接于所述的这对金属氧化物半导体晶体管的所述的这对漏极之间，所述的分布式电感电容槽包含：

一对分布式电感，耦接于供应电压以及所述的这对金属氧化物半导体晶体管的所述的这对漏极之间；以及

一对分布式电容，耦接于所述的这对分布式电感以及地之间。

5.如权利要求4所述的频率合成器，其特征在于，所述的这对分布式电感中的每一个被平均地分为两个串联连接的子电感，以及所述的这对分布式电容中的每一个被平均地分为两个子电容，所述的两个子电容连接于对应的子电感以及地之间，其中，所述的两个子电感之间的节点提供所述的频率合成器的输出信号。

6.如权利要求5所述的频率合成器，其特征在于，所述的压控振荡器进一步包含多个电阻，所述的多个电阻中的每一个跨接于所述的两个子电感。

7.如权利要求5所述的频率合成器，其特征在于，所述的压控振荡器进一步包含：一对可变电容，所述的这对可变电容中的每一个包含：栅极，源极以及漏极，其中所述的栅极耦接于所述的两个子电感之间的对应的节点，以及所述的源极及所述的漏极相连，接收控制电压，所述的控制电压可控制所述的压控振荡器。