[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810086241.7 | 申请日： | 2008-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101477978A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡方文;王冠程;林耕竹;林志隆;郑双铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
一半导体衬底；
一第一介电层，形成于该半导体衬底上，且介电常数不大于2.5；以及
一第二介电层，形成于该半导体衬底与该第一介电层之间，且介电常数不大于2.5；
其中该第一介电层对于一既定波长下的紫外光具有一第一折射率，该第二介电层对于该既定波长下的紫外光具有一第二折射率，且该第一折射率大于该第二折射率。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一介电层为多孔性SiCO基介电材料。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二介电层为多孔性SiCO基介电材料。
4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一蚀刻终止层，设置于该第二介电层与该半导体衬底之间。
5.如权利要求4所述的半导体装置，还包括一四乙基硅酸盐氧化层，设置于该第二介电层与该蚀刻终止层之间。
6.一种半导体装置，包括：
一半导体衬底，包括形成于其内的一导电区；
一蚀刻终止层，形成于该半导体衬底上；
一第一介电层，形成于该蚀刻终止层上，且介电常数不大于2.5；
一第二介电层，形成于该蚀刻终止层与该第一介电层之间，且介电常数不大于2.5；以及
一双镶嵌结构，形成于该第一介电层及该第二介电层内，且电性连接至该半导体衬底内的该导电区；
其中该第一介电层对于一既定波长下的紫外光具有一第一折射率，该第二介电层对于该既定波长下的紫外光具有一第二折射率，且该第一折射率大于该第二折射率。
7.如权利要求6所述的半导体装置，还包括一四乙基硅酸盐氧化层，设置于该第二介电层与该蚀刻终止层之间。
8.一种半导体装置，包括：
一半导体衬底，包括形成于其内的一导电区；
一蚀刻终止层，形成于该半导体衬底上；
一介电层，形成于该蚀刻终止层上，且介电常数不大于2.5；
一气隙，形成于该蚀刻终止层与该介电层之间；以及
一双镶嵌结构，形成于该介电层及该气隙内，且电性连接至该半导体衬底内的该导电区；
其中该介电层的折射率大于1.0。
9.如权利要求8所述的半导体装置，还包括一四乙基硅酸盐氧化层，设置于该气隙与该蚀刻终止层之间。
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