[发明专利]螺旋电感结构及其制备方法与封装结构无效
申请号: | 200810086309.1 | 申请日: | 2008-03-25 |
公开(公告)号: | CN101447275A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 张仕承;李惠宇 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F41/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 螺旋 电感 结构 及其 制备 方法 封装 | ||
1.一种螺旋电感结构的制备方法,包括以下步骤:
提供基材;
在该基材上方形成螺旋图案化导体层,该螺旋图案化导体层形成平面螺旋导体;
在该螺旋图案化导体层内部的基材中形成介层洞;以及
以核心层填充该介层洞,其中该核心层从该基材的下表面延伸到上表面。
2.如权利要求1所述的螺旋电感结构的制备方法,其中该介层洞是通过硅通孔技术制成的。
3.如权利要求1所述的螺旋电感结构的制备方法,其中该核心层是由高导磁材料构成的。
4.一种螺旋电感结构,包括:
基材;
螺旋图案化导体层,形成于基材上,该螺旋图案化导体层形成平面螺旋导体;
介层洞,形成于该螺旋图案化导体层内部的基材中;以及
核心层,由填充该介层洞而得,其中该核心层从该基材的下表面延伸到上表面。
5.如权利要求4所述的螺旋电感结构,其中该介层洞是通过硅通孔技术制成的。
6.如权利要求4所述的螺旋电感结构,其中该核心层是由高导磁材料构成的。
7.如权利要求4所述的螺旋电感结构,其中该高导磁材料包括:铁、镍、锰锌亚铁盐、镍锌亚铁盐、镍铁亚铁盐、镍铜锌合金、其他亚铁盐、磁屏蔽材料或磁屏蔽合金。
8.如权利要求4所述的螺旋电感结构,其中该核心层包括多个彼此分开且绝缘的个别元件。
9.一种封装结构,包括:
基材,其上形成一装置;
螺旋图案化导体层,形成于该基材之上,该螺旋图案化导体层形成平面螺旋导体;
介层洞,形成于该螺旋图案化导体层内部的基材中;以及
核心层,由填充该介层洞而得,其中该核心层从该基材的下表面延伸到上表面。
10.如权利要求9所述的封装结构,其中该介层洞是通过直通硅晶穿孔技术制成的。
11.如权利要求9所述的封装结构,其中该核心层是由高导磁材料构成的。
12.如权利要求9所述的封装结构,其中该高导磁材料包括:铁、镍、锰锌亚铁盐、镍锌亚铁盐、镍铁亚铁盐、镍铜锌合金、其他亚铁盐、磁屏蔽材料或磁屏蔽合金。
13.如权利要求9所述的封装结构,其中该核心层包括多个彼此分开且绝缘的个别元件。
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