[发明专利]SiC单晶低维纳米材料可控掺杂无效
| 申请号： | 200810086326.5 | 申请日： | 2008-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101311378A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 杨为佑;高凤梅 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315016浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 单晶低维 纳米 材料 可控 掺杂 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC单晶低维纳米材料可控掺杂的新方法，其包括以下具体步骤：
1)将聚硅氮烷和0.2～5wt％的异丙醇铝置于尼龙树脂球磨罐中球磨混合均匀；
2)混合均匀后在N2气氛下于260℃温度进行交联固化，得到非晶态固体；
3)将非晶态固体装入尼龙树脂球磨罐中在高能球磨机中进行干法球磨粉碎，同时引入3wt％FeCl2作为催化剂，使得非晶态粉末与催化剂混合均匀；
4)高能球磨后的混合物在1450-1700℃温度下于Ar或N2气氛下高温热解2小时，可得到具有不同Al掺杂量的SiC单晶低维纳米材料。
2.根据权利要求1所述的SiC单晶低维纳米材料可控掺杂的方法，其特征在于：所述步骤(1)中使用的原料为有机前驱体。
3.根据权利要求2所述的SiC单晶低维纳米材料可控掺杂的方法，其特征在于：所述步骤(2)和(4)中，所采用的保护气氛为N2或Ar。
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