[发明专利]一种制备纳米/纳米型Si3N4/SiC纳米复相陶瓷的方法无效
| 申请号： | 200810086327.X | 申请日： | 2008-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101265106A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 杨为佑;王华涛;高凤梅;谢志鹏;安立楠 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院;清华大学;安立楠 |
| 主分类号： | C04B35/577 | 分类号： | C04B35/577;C04B35/596;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315016浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 si sub sic 陶瓷 方法 | ||
1、一种制备纳米/纳米型Si3N4/SiC纳米复相陶瓷的新方法，其包括以下具体步骤：
(1)低温交联固化：有机前驱体在保护气氛下于进行低温交联固化，得到非晶态固体；
(2)球磨粉碎：将非晶态固体在球磨机中进行球磨粉碎；
(3)高温热解：球磨后的混合物进行高温热解，在一定热解温度于保护气氛下热解一定时间得到SiCN粉末。
(4)球磨粉碎：将SiCN粉末进一步球磨粉碎，球磨的同时引入烧结助剂，使得非晶态粉末与烧结助剂混合均匀；
(5)放电等离子体烧结(SPS)：高能球磨后的混合物进行SPS快速烧结，得到纳米/纳米型Si3N4/SiC纳米复相陶瓷。
2、根据权利要求1所述的制备纳米/纳米型Si3N4/SiC纳米复相陶瓷的方法，其特征在于：所述步骤(1)中使用的原料为有机前驱体。
3、根据权利要求2所述的制备纳米/纳米型Si3N4/SiC纳米复相陶瓷的方法，其特征在于：所述步骤(1)和(3)中，所使用固化和热解设备为气氛烧结炉，采用的保护气体为N2，也可采用NH3和Ar等气体。
4、根据权利要求2所述的制备纳米/纳米型Si3N4/SiC纳米复相陶瓷的方法，其特征在于：所述步骤(2)和(4)中，优先选用的磨介为Si3N4陶瓷球，使用的球磨罐为尼龙树脂球磨罐，亦可使用陶瓷球磨罐，避免使用不锈钢等金属球磨罐以避免引入其他杂质污染。
5、根据权利要求4所述的制备纳米/纳米型Si3N4/SiC纳米复相陶瓷的方法，其特征在于：所述步骤(5)中，所使用的烧结方法为放电等离子体烧结(SPS)。
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