[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，在处理室内将基板载置于载置台上，使供给至所述处理室内的处理气体等离子体化，对基板实施等离子体处理，其特征在于：

所述载置台包括：被温度调节至规定温度的载置台主体；以及配置在所述载置台主体上部的、用于吸附基板的静电卡盘，

在所述静电卡盘的上面形成有配置在中央的第一传热用气体扩散区域以及配置在周缘部的第二传热用气体扩散区域，

具有将传热用气体供给至所述第一传热用气体扩散区域的第一传热用气体供给部以及将传热用气体供给至所述第二传热用气体扩散区域的第二传热用气体供给部，

所述第二传热用气体扩散区域相对于所述第一传热用气体扩散区域的容积比为0.1以下。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二传热用气体扩散区域相对于所述第一传热用气体扩散区域的容积比为0.02～0.07。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二传热用气体扩散区域相对于所述第一传热用气体扩散区域的容积比为0.03～0.06。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一传热用气体扩散区域是在所述静电卡盘上面的中央形成的一个或者两个以上的凹部，在所述第一传热用气体扩散区域形成有多个凸部。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二传热用气体扩散区域是在所述静电卡盘上面的周缘部上形成的环状的凹部。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

利用所述第二传热用气体供给部进行的传热用气体的供给，比利用所述第一传热用气体供给部进行的传热用气体的供给先开始。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述静电卡盘利用丙烯酸类粘接剂与所述载置台主体的上部粘接。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述载置台主体的上部周缘部，绝缘材料被喷镀至所述静电卡盘的侧面的内侧。

9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二传热用气体供给部相对于所述第一传热用气体供给部的供给压比为2以上。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二传热用气体供给部相对于所述第一传热用气体供给部的供给压比为2.5～4.0。