[发明专利]有机发光显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示器及其制造方法。

背景技术

具有高发光效率、亮度、视角和响应速度的有机发光显示装置受到了公众的关注。有机发光显示器使用多个有机发光二极管(OLED)来表示图像。OLED包括阳极电极、阴极电极和位于阳极电极和阴极电极之间通过电子和空穴的复合来发光的有机发光层。

上述有机发光显示器调节通过OLED的电流量以表示灰度等级(或灰度)，其方式是，当电流量大时表示高亮度，而当电流量小时表示低亮度。

图1是示出传统有机发光显示器中一部分像素区域的布局图。参考图1，以4×1的形式设置四个像素，每个像素具有相同的结构。

在基板上形成第一晶体管M1和第二晶体管M2。在第一晶体管M1和第二晶体管M2之间形成存储电容器Cst的第一电极。存储电容器Cst的第一电极耦合到第一晶体管M1的栅极电极和第二晶体管M2的漏极电极。此外，第一晶体管M1的漏极电极耦合到有机发光二极管OLED的阳极电极。

第一扫描线S设置在水平方向上，并且耦合到第二晶体管M2的栅极电极。在垂直方向上形成与扫描线S交叉的第一数据线D1和第一电源线ELVDD。

此外，存储电容器Cst的第二电极形成在面对存储电容器Cst的第一电极的位置上，并且耦合到像素电源线ELVDD和第一晶体管M1的源极电极。

图2是沿图1的II-II’线取得的有机发光显示器的横截面图。参考图2，在基板200上形成缓冲层201，并且在缓冲层201上以岛状图案形成有源层202。有源层202由多晶硅形成。在缓冲层201和有源层202上形成第一绝缘膜204。在第一绝缘膜204上形成栅极金属205的图案。

同样，在第一绝缘膜204和栅极金属205上形成第二绝缘膜209。在第一绝缘膜204和第二绝缘膜209上形成接触孔。源极-漏极金属210a和210b通过相应的接触孔与有源层202接触从而在有源层202处形成源极202c、漏极202a和沟道202b。同样，在第二绝缘膜209和源极-漏极金属210a和210b上形成第三绝缘膜211，并且对第三绝缘膜211的上面部分形成图案。此外，在第三绝缘膜211上对阳极电极214形成图案。在第三绝缘膜211处形成接触孔，阳极电极214通过接触孔与源极-漏极金属210a和210b接触。在第三绝缘膜211和阳极电极214上形成像素限定层(PDL)215和发光层216，并且在其上形成阴极电极217。

在如上构成的传统的有机发光显示器中，外部产生的静电可能会传送到有机发光显示器内部。由于静电具有高电压，所以当它传送到扫描线时，会损坏包括在像素中的晶体管，从而引起像素的缺陷。这导致有机发光显示器不能使用。

发明内容

根据本发明的示范性实施例，提供了一种通过使用减少或防止由于静电引起的损坏的结构而能够减少或防止由于静电引起的损坏的有机发光显示器，以及制造该有机发光显示器的方法。

通过提供有机发光显示器而达到本发明的上述和/或其它方面，所述有机发光显示器包括：包括多根数据线、多根扫描线、和多个像素的像素区域，多根数据线与多根扫描线交叉，像素与数据线和扫描线耦合；与数据线耦合的用于传送数据信号的数据驱动器；与扫描线耦合的用于传送扫描信号的扫描驱动器；以及在像素区域和扫描驱动器之间的连接区域处的放电电容器单元。

根据本发明的第二方面，提供了一种驱动有机发光显示器的方法，所述方法包括：当形成晶体管的有源层时，在基板上形成多晶硅层以形成放电电容器的第一电极；以及形成金属层以形成晶体管的栅极、扫描线、存储电容器的电极以及放电电容器的第二电极。

附图说明

从下述示范性实施例的说明连同附图，本发明的这些和/或其它方面和特征将变得显而易见和更容易理解，其中：

图1是示出传统有机发光显示器中一部分像素区域的布局图；

图2是沿图1的II-II’线取得的有机发光显示器的横截面图；

图3是方框图，示出根据本发明一个示范性实施例的有机发光显示器的结构；

图4是布局图，示出图3所示的有机发光显示器的像素区域；以及

图5是示出图4所示的像素区域的电路图。

具体实施方式

下面将参考附图描述根据本发明的示范性实施例。这里，当描述一个元件与另一个元件耦合时，第一元件可以直接与第二元件耦合，或者可以通过另一个元件与第二元件耦合。此外，为了清楚起见，省略了对于完整理解本发明并不重要的一些元件。同样，在全文中相同的标号表示相同的元件。