[发明专利]GaN基板的研磨方法无效
申请号: | 200810086581.X | 申请日: | 2005-12-28 |
公开(公告)号: | CN101274419A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 松本直树 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | B24B29/02 | 分类号: | B24B29/02;H01L21/304;B24D3/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | gan 研磨 方法 | ||
本申请是申请号为2005800017073、申请日为2005年12月28日、发明名称为GaN基板的研磨方法的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及GaN基板的研磨方法。
背景技术
作为磁头滑块的研磨方法,已知例如有专利文献1所载的方法。另外,作为用于研磨磁头滑块的研磨液,已知例如有专利文献2所载的精研磨用精研油组成物。
而作为非磁头滑块的GaN基板(氮化镓基板)的研磨方法,已知例如有非专利文献1所载的方法。在此方法中,利用粒径为0.1μm的金刚石研磨膏与仿鹿皮型垫研磨GaN基板后,利用KOH与NaOH的混合液化学地研磨GaN基板。
另外,作为另一GaN基板的研磨方法,已知例如有专利文献3所载的方法。在此方法中,利用供应至平台上的游离磨粒研磨GaN基板。具体地说,使游离磨粒的粒径渐渐变小,一边减慢研磨速度,一边研磨GaN基板。
专利文献1:日本特开2001-205556号公报
专利文献2:日本特开2004-58220号公报
专利文献3:日本特开2001-322899号公报
非专利文献1:J.L.Weyher等3人着“Chemical polishing of bulk andepitaxial GaN”、Journal ofCrystal Growth杂志第182期17~22页,1997年出版
但是,利用游离磨粒研磨GaN基板时,游离磨粒彼此会凝聚在平台上而粗大化,GaN基板会因粗大化的粒子而发生擦伤。
本发明的目的在于提供可抑制擦伤的发生的GaN基板的研磨方法。
发明内容
为解决上述课题,本发明的GaN基板的研磨方法包含:第1研磨工序,一边将含第1研磨材与第1润滑剂的研磨液供应至第1平台上,一边利用第1平台及研磨液研磨GaN基板;与第2研磨工序,在第1研磨工序后,一边将第2润滑剂供应至埋入有第2研磨材的第2平台上,一边利用埋入有第2研磨材的第2平台研磨GaN基板。
在此,作为第2平台,既可使用第1平台,也可使用与第1平台不同的平台。另外,作为第2研磨材,既可使用第1研磨材,也可使用与第1研磨材不同的研磨材。例如,作为“埋入有第2研磨材的第2平台”,既可使用埋入第1研磨材的第1平台,也可使用与埋入有第1研磨材不同的研磨材的第1平台,且也可在异于第1平台的平台使用埋入异于第1研磨材的研磨材的平台。
在本发明的GaN基板的研磨方法中,在第2研磨工序中将第2研磨材埋入第2平台。因此,第2研磨材彼此不会凝聚。从而,在第2研磨工序中,可一边抑制擦伤的发生,一边研磨GaN基板。
另外,第1平台的圆周速度及第2平台的圆周速度优选为7m/min以上57m/min以下。
该情况,在第1及第2研磨工序中,与圆周速度低于7m/min的情况相比,可增大GaN基板的研磨速度。另外,与圆周速度大于57m/min的情况相比,可使第1平台的旋转及第2平台的旋转容易稳定。
另外,第1研磨材优选为金刚石磨粒。藉此,可提高第1研磨工序中的GaN基板的研磨效率。
另外,第1平台的构成材料及第2平台的构成材料优选为含有锡50质量%以上的合金。由于含有锡50质量%以上的合金并不柔软,故在第1平台的第1研磨材的突出量及在第2平台的第2研磨材的突出量均小。因此,在第1研磨工序后的GaN基板的表面粗度及在第2研磨工序后的GaN基板的表面粗度均可变小。另外,可抑制擦伤的发生。
另外,优选上述GaN基板的研磨方法还包含:表面加工工序,在第2研磨工序之前,将第2平台切削加工成平坦度10μm以下;及加料工序,在表面加工工序之后、第2研磨工序之前,将形成第2研磨材用的第3研磨材埋入第2平台。
在此,所谓“平坦度”,意味着测定对象物的厚度的最大值与最小值的差。另外,表面加工工序及加料工序既可在第1研磨工序之前实施,也可在第1研磨工序之后、第2研磨工序之前实施。另外,表面加工工序在第1研磨工序之前实施,加料工序也可在第1研磨工序之后、第2研磨工序之前实施。
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