[发明专利]GaN基板的研磨方法无效

专利信息
申请号: 200810086581.X 申请日: 2005-12-28
公开(公告)号: CN101274419A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 松本直树 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: B24B29/02 分类号: B24B29/02;H01L21/304;B24D3/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: gan 研磨 方法
【说明书】:

本申请是申请号为2005800017073、申请日为2005年12月28日、发明名称为GaN基板的研磨方法的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及GaN基板的研磨方法。

背景技术

作为磁头滑块的研磨方法,已知例如有专利文献1所载的方法。另外,作为用于研磨磁头滑块的研磨液,已知例如有专利文献2所载的精研磨用精研油组成物。

而作为非磁头滑块的GaN基板(氮化镓基板)的研磨方法,已知例如有非专利文献1所载的方法。在此方法中,利用粒径为0.1μm的金刚石研磨膏与仿鹿皮型垫研磨GaN基板后,利用KOH与NaOH的混合液化学地研磨GaN基板。

另外,作为另一GaN基板的研磨方法,已知例如有专利文献3所载的方法。在此方法中,利用供应至平台上的游离磨粒研磨GaN基板。具体地说,使游离磨粒的粒径渐渐变小,一边减慢研磨速度,一边研磨GaN基板。

专利文献1:日本特开2001-205556号公报

专利文献2:日本特开2004-58220号公报

专利文献3:日本特开2001-322899号公报

非专利文献1:J.L.Weyher等3人着“Chemical polishing of bulk andepitaxial GaN”、Journal ofCrystal Growth杂志第182期17~22页,1997年出版

但是,利用游离磨粒研磨GaN基板时,游离磨粒彼此会凝聚在平台上而粗大化,GaN基板会因粗大化的粒子而发生擦伤。

本发明的目的在于提供可抑制擦伤的发生的GaN基板的研磨方法。

发明内容

为解决上述课题,本发明的GaN基板的研磨方法包含:第1研磨工序,一边将含第1研磨材与第1润滑剂的研磨液供应至第1平台上,一边利用第1平台及研磨液研磨GaN基板;与第2研磨工序,在第1研磨工序后,一边将第2润滑剂供应至埋入有第2研磨材的第2平台上,一边利用埋入有第2研磨材的第2平台研磨GaN基板。

在此,作为第2平台,既可使用第1平台,也可使用与第1平台不同的平台。另外,作为第2研磨材,既可使用第1研磨材,也可使用与第1研磨材不同的研磨材。例如,作为“埋入有第2研磨材的第2平台”,既可使用埋入第1研磨材的第1平台,也可使用与埋入有第1研磨材不同的研磨材的第1平台,且也可在异于第1平台的平台使用埋入异于第1研磨材的研磨材的平台。

在本发明的GaN基板的研磨方法中,在第2研磨工序中将第2研磨材埋入第2平台。因此,第2研磨材彼此不会凝聚。从而,在第2研磨工序中,可一边抑制擦伤的发生,一边研磨GaN基板。

另外,第1平台的圆周速度及第2平台的圆周速度优选为7m/min以上57m/min以下。

该情况,在第1及第2研磨工序中,与圆周速度低于7m/min的情况相比,可增大GaN基板的研磨速度。另外,与圆周速度大于57m/min的情况相比,可使第1平台的旋转及第2平台的旋转容易稳定。

另外,第1研磨材优选为金刚石磨粒。藉此,可提高第1研磨工序中的GaN基板的研磨效率。

另外,第1平台的构成材料及第2平台的构成材料优选为含有锡50质量%以上的合金。由于含有锡50质量%以上的合金并不柔软,故在第1平台的第1研磨材的突出量及在第2平台的第2研磨材的突出量均小。因此,在第1研磨工序后的GaN基板的表面粗度及在第2研磨工序后的GaN基板的表面粗度均可变小。另外,可抑制擦伤的发生。

另外,优选上述GaN基板的研磨方法还包含:表面加工工序,在第2研磨工序之前,将第2平台切削加工成平坦度10μm以下;及加料工序,在表面加工工序之后、第2研磨工序之前,将形成第2研磨材用的第3研磨材埋入第2平台。

在此,所谓“平坦度”,意味着测定对象物的厚度的最大值与最小值的差。另外,表面加工工序及加料工序既可在第1研磨工序之前实施,也可在第1研磨工序之后、第2研磨工序之前实施。另外,表面加工工序在第1研磨工序之前实施,加料工序也可在第1研磨工序之后、第2研磨工序之前实施。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社,未经住友电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810086581.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top