[发明专利]半导体器件及电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

连接到第一电源的第一端子，该第一端子供给第一电位；

连接到所述第一端子的光电转换元件，该光电转换元件输出第一电压；

包括第一栅电极、第一漏电极、以及第一源电极的参照晶体管，其中所述第一栅电极和所述第一漏电极连接到所述光电转换元件，并且所述参照晶体管从所述第一源电极输出根据施加到所述第一栅电极的所述第一电压的第一电流；

连接到所述第一端子且与所述光电转换元件并列的第一布线；

包括第二栅电极、第二漏电极、以及第二源电极的放大晶体管，其中所述第二栅电极连接到所述光电转换元件，并且所述第二漏电极连接到所述第一布线，并且所述放大晶体管从所述第二源电极输出根据施加到所述第二栅电极的所述第一电压的第二电流；

连接到所述第一源电极和所述第二源电极的连接点的第二布线；以及

连接到所述第二布线的第二端子，该第二端子供给低于所述第一电位的第二电位，

其中，在所述第二布线中流过所述第一电流和所述第二电流，

并且，所述第一布线及所述第二布线设置为曲折形状。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一布线和所述第二布线设置在单层中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体器件设置在衬底上，

并且所述第一布线及所述第二布线是与所述衬底平行的曲折形状。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一布线及所述第二布线中的至少一方通过接触孔设置在多个层中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中由所述参照晶体管和所述放大晶体管构成电流镜电路。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中放大晶体管包括多个平行设置的薄膜晶体管。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述光电转换元件是由p型半导体、i型半导体、n型半导体构成的叠层。

8.一种电子设备，包括：

显示部；

驱动所述显示部的驱动电路；以及

连接到所述驱动电路的光传感器部，该所述光传感器包括：

连接到第一电源的第一端子，该第一端子供给第一电位；

连接到所述第一端子的光电转换元件，该光电转换元件输出第一电压；包括第一栅电极、第一漏电极、以及第一源电极的参照晶体管，其中所述第一栅电极和所述第一漏电极连接到所述光电转换元件，并且所述参照晶体管从所述第一源电极输出根据施加到所述第一栅电极的所述第一电压的第一电流；

连接到所述第一端子且与所述光电转换元件并列的第一布线；

包括第二栅电极、第二漏电极、以及第二源电极的放大晶体管，其中所述第二栅电极连接到所述光电转换元件，并且所述第二漏电极连接到所述第一布线，并且所述放大晶体管从所述第二源电极输出根据施加到所述第二栅电极的所述第一电压的第二电流；

连接到所述第一源电极和所述第二源电极的连接点的第二布线；以及

连接到所述第二布线的第二端子，该第二端子供给低于所述第一电位的第二电位，

其中，在所述第二布线中流过所述第一电流和所述第二电流，

并且，所述第一布线及所述第二布线设置为曲折形状。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其中所述第一布线和所述第二布线设置在单层中。

10.根据权利要求8所述的电子设备，

其中所述电子设备设置在衬底上，

并且所述第一布线及所述第二布线是与所述衬底平行的曲折形状。

11.根据权利要求8所述的电子设备，其中所述第一布线及所述第二布线中的至少一方中间夹接触孔设置在多个层中。

12.根据权利要求8所述的电子设备，其中由所述参照晶体管和所述放大晶体管构成电流镜电路。

13.根据权利要求8所述的电子设备，其中放大晶体管包括多个平行设置的薄膜晶体管。

14.根据权利要求8所述的电子设备，其中所述光电转换元件是由p型半导体、i型半导体、n型半导体构成的叠层。