[发明专利]研磨液

权利要求书

1.一种研磨液，其用于研磨半导体集成电路的阻挡层，其中，含有防静电剂。

2.一种研磨液，其用于研磨半导体集成电路的阻挡层，其中，含有如下通式(1)所示的化合物，

通式(1)

式中，R¹、R²各自独立地表示选自氢原子、碳原子数为6～30的烷基、烯基、环烷基、芳基、芳烷基及聚氧乙烯链中的至少一种，R¹、R²可以互相结合，a为1以上的整数。

3.如权利要求2所述的研磨液，其中，所述通式(1)所示的化合物的浓度相对于研磨液的总质量为0.005～50g/L。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的研磨液，其中，进一步含有防蚀剂及胶态二氧化硅，pH为2.5～5.0。

5.如权利要求4所述的研磨液，其中，所述胶态二氧化硅的浓度相对于研磨液的总质量为0.5～15质量％。

6.如权利要求4或者5所述的研磨液，其中，所述胶态二氧化硅的原始平均粒径在20～50nm的范围。

7.如权利要求4至6中的任一项所述的研磨液，其中，所述防蚀剂为选自1，2，3-苯并三唑、5，6-二甲基-1，2，3-苯并三唑、1-(1，2-二羧基乙基)苯并三唑、1-[N，N-双(羟乙基)氨基甲基]苯并三唑及1-(羟甲基)苯并三唑中的至少一种化合物。

8.如权利要求1～7中的任意项所述的研磨液，其中，进一步含有下述通式(2)所示的二季铵阳离子或下述通式(3)所示的单季铵阳离子，

通式(2)

通式(3)

通式(2)或者通式(3)中，R¹～R⁷各自独立地表示选自碳原子数为1～20的烷基、烯基、环烷基、芳基及芳烷基中的至少一种，R¹～R⁶中的2个基团可以相互结合，X表示选自碳原子数为1～10的亚烷基、亚烯基、亚环烷基、亚芳基及组合这些基团形成的基团中的至少一种。

9.如权利要求1至8中的任一项所述的研磨液，其中，进一步含有具有羧基的化合物，且该具有羧基的化合物为下述通式(4)所示的化合物，

通式(4)

R⁷——O——R⁸——COOH

通式(4)中，R⁷、R⁸各自独立地表示烃基，R⁷和R⁸可以相互结合形成环状结构。

10.如权利要求1至9中的任一项所述的研磨液，其中，进一步含有阴离子系表面活性剂或者阳离子系表面活性剂。

11.一种研磨方法，其特征在于，在半导体集成电路的阻挡层的研磨中，使用权利要求1～10中的任一项所述的研磨液。