[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810086794.2 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101276840A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;须沢英臣;笹川慎也;仓田求 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
形成在绝缘表面上的半导体层；
形成在所述半导体层上的第一绝缘层；
形成在所述第一绝缘层上的栅电极；
形成在所述栅电极上的第二绝缘层；以及
形成在所述第二绝缘层上的导电层，
其中，所述导电层通过第一开口和第二开口连接到所述半导体层，
所述第一开口至少形成在所述第二绝缘层中，
所述第一开口到达所述半导体层，
所述第二开口至少形成在所述半导体层中，
所述第二开口到达所述绝缘表面，且
所述第二开口的俯视面积小于所述第一开口的俯视面积。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述半导体层的侧面设置有绝缘体。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层包括硅化物区。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层的厚度为10nm至30nm。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一开口还形成在所述第一绝缘层中。
6.一种半导体装置，包括：
形成在衬底上的第一绝缘层；
形成在所述第一绝缘层上且具有绝缘表面的第二绝缘层；
形成在所述绝缘表面上的半导体层；
形成在所述半导体层上的第三绝缘层；
形成在所述第三绝缘层上的栅电极；
形成在所述栅电极上的第四绝缘层；以及
形成在所述第四绝缘层上的导电层，
其中，所述导电层通过第一开口和第二开口连接到所述半导体层，
所述第一开口至少形成在所述第四绝缘层中，
所述第一开口到达所述半导体层，
所述第二开口至少形成在所述半导体层及所述第二绝缘层中，
所述第二开口到达所述第一绝缘层，且
所述第二开口的俯视面积小于所述第一开口的俯视面积。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中绝缘体设置在所述半导体层的侧面。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述半导体层包括硅化物区。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述半导体层的厚度为10nm至30nm。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第一开口还形成在所述第三绝缘层中。
11.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：
在绝缘表面上形成半导体层；
在所述半导体层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成栅电极；
在所述栅电极上形成第二绝缘层；
至少在所述第二绝缘层中形成第一开口，其中所述第一开口到达所述半导体层；
至少在所述半导体层中形成第二开口，其中所述第二开口到达所述绝缘表面；以及
在所述第二绝缘层上形成导电层，
其中，所述导电层通过所述第一开口和所述第二开口连接到所述半导体层，且
所述第二开口的俯视面积小于所述第一开口的俯视面积。
12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中在所述半导体层的侧面设置绝缘体。
13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中所述半导体层包括硅化物区。
14.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中所述半导体层的厚度为10nm至30nm。
15.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一开口还形成在所述第一绝缘层中。
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