[发明专利]蚀刻剂和利用其制造包括薄膜晶体管的电子装置的方法

权利要求书

1.一种蚀刻剂，用于蚀刻具有铜层和钛层、或铜层和钛合金层多层层叠 结构的多层膜，所述蚀刻剂包括：

氟离子源；

过氧化氢；

硫酸盐；

磷酸盐；

唑类化合物；

溶剂，

其中，氟离子源存在的浓度为0.01wt％至10wt％，过氧化氢存在的浓度 为1wt％至20wt％，硫酸盐存在的浓度为0.1wt％至10wt％，磷酸盐存在的 浓度为0.1wt％至10wt％，唑类化合物存在的浓度为0.01wt％至5wt％，溶剂 以平衡量存在。

2.如权利要求1所述的蚀刻剂，其中，氟离子源从由氟化氢、氟化铵、 氟化氢铵、氟化钾、氟化钠及它们的组合组成的组中选择。

3.如权利要求1所述的蚀刻剂，其中，硫酸盐是从由A₂SO₄、AHSO₄、 BSO₄及它们的组合组成的组中选择的化合物，A从由碱金属、铵离子及它们 的组合组成的组中选择，B为碱土金属。

4.如权利要求1所述的蚀刻剂，其中，磷酸盐是式子为D_xH_yPO₄的化 合物，其中，x和y是0至3的整数，x+y＝3，D从由碱金属、碱土金属、铵 离子及它们的组合组成的组中选择。

5.如权利要求1所述的蚀刻剂，其中，唑类化合物从由烷基咪唑、吡唑、 甲苯并三唑、苯并三唑、氨基四唑及它们的组合组成的组中选择，所述烷基 为C₁至C₇的烷基。

6.如权利要求1所述的蚀刻剂，其中，溶剂为净化水或去离子水。

7.一种包括薄膜晶体管基底的电子装置的制造方法，包括：

通过沉积钛或钛合金以及铜来形成具有铜层和钛层、或铜层和钛合金层 多层层叠的结构的多层膜；

通过光致抗蚀剂法在多层膜上形成选择性掩模；

使包括氟离子源、过氧化氢、硫酸盐、磷酸盐、唑类化合物以及溶剂的 蚀刻剂对经过掩模化的多层膜进行作用，以形成图案，

其中，氟离子源存在的浓度为0.01wt％至10wt％，过氧化氢存在的浓度 为1wt％至20wt％，硫酸盐存在的浓度为0.1wt％至10wt％，磷酸盐存在的 浓度为0.1wt％至10wt％，唑类化合物存在的浓度为0.01wt％至5wt％，溶剂 以平衡量存在。

8.如权利要求7所述的方法，其中，将经图案化的多层膜用于薄膜晶体 管的栅电极。

9.如权利要求7所述的方法，其中，将经图案化的多层膜用于薄膜晶体 管的源电极或漏电极。

10.如权利要求7所述的方法，其中，将包括薄膜晶体管的基底应用于 薄膜晶体管-液晶显示器。

11.如权利要求7所述的方法，其中，将包括薄膜晶体管的基底应用于 有机发光二极管显示器。