[发明专利]半导体激光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光元件，其特征在于，包括：

支撑基板；

半导体激光元件部，其具有一对共振器面，该共振器面设有沿第一方向延伸的波导路的端部；以及

粘接层，用于粘接所述支撑基板和所述半导体激光元件部，

所述粘接层在所述共振器面附近具有在所述波导路的至少是端部附近的区域上形成的空隙部。

2.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：在所述共振器面附近，借助在形成所述波导路端部附近的所述空隙部的区域以外的区域上形成的所述粘接层，粘接所述支撑基板和所述半导体激光元件部。

3.如权利要求2所述的半导体激光元件，其特征在于：所述空隙部的与所述第一方向垂直的第二方向的宽度比所述波导路的端部的所述第二方向的宽度大。

4.如权利要求3所述的半导体激光元件，其特征在于：所述波导路端部附近的所述半导体激光元件部的所述第二方向的宽度，比所述空隙部的所述第二方向的宽度小，而且比所述波导路端部的所述第二方向的宽度大。

5.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：以所述半导体激光元件部的所述波导路的端部相对于所述支撑基板的所述第一方向的端部向所述第一方向突出的方式形成所述共振器面。

6.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：所述半导体激光元件部包括氮化物系半导体层。

7.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：所述支撑基板和所述粘接层具有导电性。

8.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：在所述半导体激光元件部的所述空隙部附近的表面上设有第一台阶差部。

9.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：在所述支撑基板的所述空隙部附近的表面上设有第二台阶差部。

10.一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：

借助粘接层，粘接支撑基板和具有沿第一方向延伸的波导路的半导体激光元件部的工序；和

在成为所述波导路端部的区域上形成一对共振器面的工序，

所述进行粘接的工序具有，

在所述支撑基板和所述半导体激光元件部之间的成为所述共振器面的区域附近，在所述波导路的至少是端部的区域的附近的区域上，形成具有空隙部的所述粘接层的工序；和

借助所述粘接层，粘接所述支撑基板和所述半导体激光元件部的工序。

11.如权利要求10所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：所述进行粘接的工序还包括，在所述共振器面的区域附近的作为所述波导路端部的具有所述空隙部的区域以外的区域上，借助所述粘接层，粘接所述支撑基板和所述半导体激光元件部的工序。

12.如权利要求10所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：所述支撑基板和所述粘接层具有导电性。

13.如权利要求10所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：形成所述一对共振器面的工序包括，以所述半导体激光元件部的所述波导路的端部相对于所述支撑基板的所述第一方向的端部向所述第一方向突出的方式，形成所述共振器面的工序。

14.如权利要求11所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：所述空隙部的与所述第一方向垂直的第二方向的宽度比所述波导路的端部的所述第二方向的宽度大。

15.如权利要求11所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：所述波导路端部附近的所述半导体激光元件部的所述第二方向的宽度，比所述空隙部的所述第二方向的宽度小，而且比所述波导路端部的所述第二方向的宽度大。

16.如权利要求10所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于：形成具有所述空隙部的所述粘接层的工序包括在所述支撑基板的表面上的所述空隙部区域以外的区域上形成所述粘接层的工序。

17.如权利要求10所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，还包括：

利用成长用基板，形成所述半导体激光元件部的工序；和

在所述进行粘接的工序之后，剥离所述成长用基板和所述半导体激光元件部的工序。