[发明专利]基板处理系统和基板清洗装置

权利要求书

1.一种基板处理系统，它具有在基板上进行规定处理的基板处理装置和至少在所述规定处理的前后的任一个中对所述基板进行清洗的基板清洗装置，其特征在于：

所述基板清洗装置具有向着所述基板的背面和周缘部喷出呈气相和液相二个相状态的清洗物质和高温气体的喷出装置。

2.如权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于：

所述喷出装置相对于所述基板的背面倾斜地喷出所述清洗物质和所述高温气体。

3.如权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于：

所述喷出装置和所述基板互相平行并且相对地移动。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理系统，其特征在于：

所述喷出装置具有向着所述基板背面开口的吸气部。

5.如权利要求1～4中任一项所述的基板处理系统，其特征在于：

所述基板清洗装置具有向着所述基板的表面喷出其它气体的其它喷出装置。

6.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理系统，其特征在于：

所述基板清洗装置具有保持所述基板的保持装置。

7.如权利要求6所述的基板处理系统，其特征在于：

所述保持装置使所述基板反转。

8.如权利要求6或7所述的基板处理系统，其特征在于：

所述基板清洗装置具有对所述保持装置施加振动的振动施加装置。

9.如权利要求1～8中任一项所述的基板处理系统，其特征在于：

所述基板清洗装置具有对所述清洗物质和所述高温气体施加振动的其它振动施加装置。

10.如权利要求1～9中任一项所述的基板处理系统，其特征在于：

所述基板清洗装置具有使所述清洗物质和所述高温气体的流速按脉冲波变动的流速变动装置。

11.如权利要求1～10中任一项所述的基板处理系统，其特征在于：

所述清洗物质选自水、有机溶剂、表面活性剂和清洗溶液中的任一种。

12.如权利要求1～11中任一项所述的基板处理系统，其特征在于：

所述规定处理为蚀刻处理。

13.如权利要求1～11中任一项所述的基板处理系统，其特征在于：

所述规定处理为光致抗蚀剂的曝光处理或涂敷显影处理。

14.如权利要求1～13中任一项所述的基板处理系统，其特征在于：

所述高温气体的温度为80℃～150℃。

15.一种基板处理系统，它具有在基板上进行规定处理的基板处理装置和至少在所述规定处理的前后的任一个中对所述基板进行清洗的基板清洗装置；其特征在于：

所述基板清洗装置具有向着所述基板的背面和周缘部喷出呈气相的清洗物质和高温气体的喷出装置，

所述呈气相的清洗物质包含簇化的分子或原子。

16.一种基板清洗装置，其特征在于：

它具有向着基板背面和周缘部喷出呈气相和液相的二个相状态的清洗物质和高温气体的喷出装置。

17.一种基板清洗装置，其特征在于：

它具有向着基板背面和周缘部喷出呈气相的清洗物质和高温气体的喷出装置，

所述呈气相的清洗物质包含簇化的分子或原子。