[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该方法包括下列步骤：

提供一基板，其具有一第一组件区和一第二组件区；

分别于该第一组件区和该第二组件区中形成一第一栅极绝缘层和一第二栅极绝缘层；

全面性形成一栅极层；

图案化该栅极层，并移除部分该第一栅极绝缘层和部分该第二栅极绝缘层，以分别于该第一组件区中形成一第一栅极和一残留第一栅极绝缘层，以及于该第二组件区中形成一第二栅极和一残留第二栅极绝缘层，其中未被该第一栅极覆盖的该残留第一栅极绝缘层是具有一第一厚度，未被该第二栅极覆盖的该残留第二栅极绝缘层具有一第二厚度；

全面性形成一间隙壁绝缘层，其具有一第三厚度，其中该第三厚度大于该第一厚度和该第二厚度；

进行一各向异性刻蚀步骤，移除部分该间隙壁绝缘层、部分该残留第一栅极绝缘层和部分该残留第二栅极绝缘层，直到露出该第一栅极和该第二栅极，其中，该第三厚度加上该第一厚度的总厚度与该第三厚度加上该第二厚度的的总厚度两者差值小于以及

分别于该第一栅极和该第二栅极的侧壁上形成一对第一间隙壁和一对第二间隙壁，其中该对第一间隙壁是覆盖部分该残留第一栅极绝缘层，而该对第二间隙壁是覆盖部分该残留第二栅极绝缘层。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第一厚度与该第二厚度的比值介于1∶5至1∶20之间。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，于全面性形成该间隙壁绝缘层之前更包括：

分别于该第一栅极和该第二栅极两侧的部分该基板中形成一第一浅掺杂源/漏极区和一第二浅掺杂源/漏极区。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法更包括：

分别于该第一间隙壁和该第一间隙壁外侧的部分该基板中形成一第一重掺杂源/漏极区和一第二重掺杂源/漏极区。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第一重掺杂源/漏极区和该第二重掺杂源/漏极区是于不同步骤形成。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第三厚度与该第一厚度的比值介于25∶1至10∶1之间。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第三厚度与该第二厚度的比值介于10∶1至2∶1之间。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第一栅极绝缘层和该第二栅极绝缘层是于不同步骤形成。

9.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第一厚度小于被该第一栅极覆盖的该残留第一栅极绝缘层的厚度。

10.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第二厚度小于被该第二栅极覆盖的该残留第二栅极绝缘层的厚度。